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1. (WO2016138715) PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DE COUCHE MINCE DE POLYSILICIUM BASSE TEMPÉRATURE ET DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES, TRANSISTOR À COUCHES MINCES, PANNEAU D'AFFICHAGE ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE

Pub. No.:    WO/2016/138715    International Application No.:    PCT/CN2015/084172
Publication Date: Sat Sep 10 01:59:59 CEST 2016 International Filing Date: Fri Jul 17 01:59:59 CEST 2015
IPC: H01L 21/02
H01L 21/20
H01L 29/786
Applicants: BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD.
京东方科技集团股份有限公司
Inventors: NIU, Yanan
牛亚男
LIU, Chao
刘超
HE, Zengsheng
贺增胜
CHEN, Lei
陈蕾
ZHANG, Yujun
张玉军
Title: PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DE COUCHE MINCE DE POLYSILICIUM BASSE TEMPÉRATURE ET DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES, TRANSISTOR À COUCHES MINCES, PANNEAU D'AFFICHAGE ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
Abstract:
L'invention concerne un procédé de préparation d'une couche mince de polysilicium basse température et d'un transistor à couches minces, un transistor à couches minces, un panneau d'affichage et un dispositif d'affichage. Le procédé consiste à former une couche mince de silicium amorphe (01) sur un substrat (1), à former un motif d'une couche mince d'oxyde de silicium (02) recouverte de la couche mince de silicium amorphe (01), l'épaisseur de la couche mince d'oxyde de silicium (02) dans la région par défaut étant plus épaisse que celle de la couche mince d'oxyde de silicium (02) située dans les autres régions à l'exception de la région par défaut, et à rayonner un laser quasi-moléculaire sur la couche mince d'oxyde de silicium (02) de sorte à convertir la couche mince de silicium amorphe (01) en une couche mince de silicium polycristallin initiale (04), la couche mince de silicium polycristallin initiale (04) dans la région par défaut constituant une couche mince de polysilicium basse température cible (05), de sorte que la granulométrie du polysilicium de la couche mince de silicium polycristallin soit formée de manière plus uniforme.