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1. (WO2016138715) PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DE COUCHE MINCE DE POLYSILICIUM BASSE TEMPÉRATURE ET DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES, TRANSISTOR À COUCHES MINCES, PANNEAU D'AFFICHAGE ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/138715    N° de la demande internationale :    PCT/CN2015/084172
Date de publication : 09.09.2016 Date de dépôt international : 16.07.2015
CIB :
H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015 (CN)
Inventeurs : NIU, Yanan; (CN).
LIU, Chao; (CN).
HE, Zengsheng; (CN).
CHEN, Lei; (CN).
ZHANG, Yujun; (CN)
Mandataire : LIU, SHEN & ASSOCIATES; 10th Floor, Building 1, 10 Caihefang Road, Haidian District Beijing 100080 (CN)
Données relatives à la priorité :
201510095020.6 03.03.2015 CN
Titre (EN) PREPARATION METHOD FOR LOW TEMPERATURE POLYSILICON THIN FILM AND THIN FILM TRANSISTOR, THIN FILM TRANSISTOR , DISPLAY PANEL AND DISPLAY DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DE COUCHE MINCE DE POLYSILICIUM BASSE TEMPÉRATURE ET DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES, TRANSISTOR À COUCHES MINCES, PANNEAU D'AFFICHAGE ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(ZH) 低温多晶硅薄膜及薄膜晶体管的制备方法、薄膜晶体管、显示面板及显示装置
Abrégé : front page image
(EN)Provided are a preparation method for a low temperature polysilicon thin film and a thin film transistor, a thin film transistor, a display panel and a display device. The method comprises forming an amorphous silicon thin film (01) on a substrate (1), forming a pattern of a silicon oxide thin film (02) covered the amorphous silicon thin film (01), wherein the thickness of the silicon oxide thin film (02) in the default region is thicker than that of the silicon oxide thin film (02) located in the other regions except the default region, and a quasi-molecule laser is irradiated over the silicon oxide thin film (02) to make the amorphous silicon thin film (01) to be an initial polycrystalline silicon thin film (04), the initial polycrystalline silicon thin film (04) in the default region is a target low temperature polysilicon thin film (05), so that the grain size of the polysilicon of the polycrystalline silicon thin film are formed more uniformly.
(FR)L'invention concerne un procédé de préparation d'une couche mince de polysilicium basse température et d'un transistor à couches minces, un transistor à couches minces, un panneau d'affichage et un dispositif d'affichage. Le procédé consiste à former une couche mince de silicium amorphe (01) sur un substrat (1), à former un motif d'une couche mince d'oxyde de silicium (02) recouverte de la couche mince de silicium amorphe (01), l'épaisseur de la couche mince d'oxyde de silicium (02) dans la région par défaut étant plus épaisse que celle de la couche mince d'oxyde de silicium (02) située dans les autres régions à l'exception de la région par défaut, et à rayonner un laser quasi-moléculaire sur la couche mince d'oxyde de silicium (02) de sorte à convertir la couche mince de silicium amorphe (01) en une couche mince de silicium polycristallin initiale (04), la couche mince de silicium polycristallin initiale (04) dans la région par défaut constituant une couche mince de polysilicium basse température cible (05), de sorte que la granulométrie du polysilicium de la couche mince de silicium polycristallin soit formée de manière plus uniforme.
(ZH)一种低温多晶硅薄膜及薄膜晶体管的制备方法、薄膜晶体管、显示面板及显示装置,该方法包括在衬底基板(1)上形成非晶硅薄膜(01);形成覆盖所述非晶硅薄膜(01)的氧化硅薄膜(02)的图形,位于预设区域内的所述氧化硅薄膜(02)的厚度大于除了所述预设区域之外其它区域内的氧化硅薄膜(02)的厚度;以及采用准分子激光照射所述氧化硅薄膜(02),使所述非晶硅薄膜(01)形成初始多晶硅薄膜(04),位于所述预设区域内的初始多晶硅薄膜(04)为目标低温多晶硅薄膜(05)。这样制备的多晶硅薄膜的多晶硅的晶粒尺寸更均匀。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)