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1. (WO2016138670) SUBSTRAT DE MATRICE DE TRANSISTORS À COUCHES MINCES DU TYPE FFS ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION

Pub. No.:    WO/2016/138670    International Application No.:    PCT/CN2015/073861
Publication Date: Sat Sep 10 01:59:59 CEST 2016 International Filing Date: Tue Mar 10 00:59:59 CET 2015
IPC: H01L 27/12
H01L 21/336
H01L 21/77
Applicants: SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.
深圳市华星光电技术有限公司
Inventors: LIU, Yang
刘洋
Title: SUBSTRAT DE MATRICE DE TRANSISTORS À COUCHES MINCES DU TYPE FFS ET SON PROCÉDÉ DE PRÉPARATION
Abstract:
L'invention concerne un procédé de préparation d'un substrat de matrice de transistors à couches minces du type FFS, qui comprend : la formation d'une électrode commune (32), d'une grille (31) et d'une première électrode de pixel (21) sur le substrat (10) par adoption d'une première technologie de masquage ; la formation d'une couche active (51) et d'une seconde électrode de pixel (61) par adoption d'une deuxième technologie de masquage, des couches d'isolation de grille (40) étant disposées entre la couche active (51) et la seconde électrode de pixel (61), et l'électrode commune (32), la grille (31) et la première électrode de pixel (21) ; et la formation d'un drain (71) et d'une source (72) par adoption d'une troisième technologie de masquage. L'invention concerne également un substrat de matrice de transistors à couches minces du type FFS préparé sur la base dudit procédé.