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1. (WO2016138284) PROCÉDÉS DE DÉPÔT DIÉLECTRIQUE SÉLECTIF À L'AIDE DE MONO-COUCHES AUTO-ASSEMBLÉES

Pub. No.:    WO/2016/138284    International Application No.:    PCT/US2016/019597
Publication Date: Fri Sep 02 01:59:59 CEST 2016 International Filing Date: Fri Feb 26 00:59:59 CET 2016
IPC: C23C 16/455
C23C 16/448
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC.
Inventors: CHAKRABORTY, Tapash
GORADIA, Prerna
VISSER, Robert Jan
Title: PROCÉDÉS DE DÉPÔT DIÉLECTRIQUE SÉLECTIF À L'AIDE DE MONO-COUCHES AUTO-ASSEMBLÉES
Abstract:
L'invention concerne des procédés de dépôt diélectrique sélectif à l'aide de mono-couches auto-assemblées (SAM). Un procédé de dépôt sélectif d'une couche diélectrique à faible constante diélectrique sur un substrat, ayant une surface de silicium exposée et une surface exposée contenant du silicium, consiste : (a) à faire croître une mono-couche auto-assemblée à base d'organosilane sur la surface exposée contenant du silicium, la mono-couche auto-assemblée à base d'organosilane étant stable thermiquement à une première température supérieure à environ 300 degrés Celsius ; (b) à déposer de manière sélective une couche diélectrique à faible constante diélectrique sur la surface de silicium exposée du substrat, la mono-couche auto-assemblée à base d'organosilane inhibant le dépôt de la couche diélectrique à faible constante diélectrique sur la surface contenant du silicium.