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1. (WO2016137892) ENSEMBLES MICROÉLECTRONIQUES FORMÉS À L'AIDE DE SILICIURE MÉTALLIQUE, ET PROCÉDÉS DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/137892 N° de la demande internationale : PCT/US2016/018953
Date de publication : 01.09.2016 Date de dépôt international : 22.02.2016
CIB :
H01L 21/768 (2006.01) ,H01L 23/48 (2006.01) ,H01L 25/065 (2006.01)
Déposants : INVENSAS CORPORATION[US/US]; 3025 Orchard Parkway San Jose, CA 95134, US
Inventeurs : SHEN, Hong; US
WANG, Liang; US
SITARAM, Arkalgud, R.; US
Mandataire : LATTIN, Christopher, W.; US
Données relatives à la priorité :
14/629,27123.02.2015US
Titre (EN) MICROELECTRONIC ASSEMBLIES FORMED USING METAL SILICIDE, AND METHODS OF FABRICATION
(FR) ENSEMBLES MICROÉLECTRONIQUES FORMÉS À L'AIDE DE SILICIURE MÉTALLIQUE, ET PROCÉDÉS DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN) Two microelectronic components (110, 120), e.g. a die and an interposer, are bonded to each other. One of the components' contact pads (110C) include metal, and the other component has silicon (410) which reacts with the metal to form metal silicide (504). Then a hole (510) is made through one of the components to reach the metal silicide and possibly even the unreacted metal (110C) of the other component. The hole is filled with a conductor (130), possibly metal, to provide a conductive via that can be electrically coupled to contact pads (120C.B) attachable to other circuit elements or microelectronic components, e.g. to a printed circuit board.
(FR) Deux composants microélectroniques (110, 120), par exemple une puce et un interposeur, sont liés l'un à l'autre. Les plages de contact (110C) de l'un des composants comprennent un métal, et l'autre composant comporte du silicium (410) qui réagit avec le métal pour former du siliciure métallique (504). Ensuite, un trou (510) est réalisé dans l'un des composants pour atteindre le siliciure métallique et éventuellement même le métal n'ayant pas réagi (110C) de l'autre composant. Le trou est rempli d'un conducteur (130), éventuellement du métal, pour produire un trou d'interconnexion conducteur qui peut être couplé électriquement à des plages de contact (120 C.B) pouvant être fixées à d'autres éléments de circuit ou composants microélectroniques, par exemple, à une carte de circuit imprimé.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)