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1. (WO2016137720) RÉSEAU DE CELLULES DE MÉMOIRE NON VOLATILE À CELLULES À MÉMOIRE MORTE (ROM)
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/137720 N° de la demande internationale : PCT/US2016/016738
Date de publication : 01.09.2016 Date de dépôt international : 05.02.2016
CIB :
H01L 27/112 (2006.01) ,G11C 16/04 (2006.01) ,G11C 17/12 (2006.01) ,H01L 27/115 (2006.01) ,H01L 29/423 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
10
comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105
comprenant des composants à effet de champ
112
Structures de mémoires mortes
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
16
Mémoires mortes programmables effaçables
02
programmables électriquement
04
utilisant des transistors à seuil variable, p.ex. FAMOS
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
17
Mémoires mortes programmables une seule fois; Mémoires semi-permanentes, p.ex. cartes d'information pouvant être replacées à la main
08
utilisant des dispositifs à semi-conducteurs, p.ex. des éléments bipolaires
10
dans lesquelles le contenu est déterminé lors de la fabrication par une disposition prédéterminée des éléments de couplage, p.ex. mémoires ROM programmables par masque
12
utilisant des dispositifs à effet de champ
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
10
comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105
comprenant des composants à effet de champ
112
Structures de mémoires mortes
115
Mémoires mortes programmables électriquement
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
40
Electrodes
41
caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative
423
ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
Déposants :
SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 450 Holger Way San Jose, CA 95134, US
Inventeurs :
KIM, Jinho; US
TIWARI, Vipin; US
DO, Nhan; US
LIU, Xian; US
QIAN, Xiaozhou; CN
BAI, Ning; CN
YUE, Kai Man; CN
Mandataire :
LIMBACH, Alan, A.; US
Données relatives à la priorité :
14/639,06304.03.2015US
201510089866.927.02.2015CN
Titre (EN) ARRAY OF NON-VOLATILE MEMORY CELLS WITH ROM CELLS
(FR) RÉSEAU DE CELLULES DE MÉMOIRE NON VOLATILE À CELLULES À MÉMOIRE MORTE (ROM)
Abrégé :
(EN) A memory device that includes a plurality of ROM cells each having spaced apart source and drain regions formed in a substrate with a channel region therebetween, a first gate disposed over and insulated from a first portion of the channel region, a second gate disposed over and insulated from a second portion of the channel region, and a conductive line extending over the plurality of ROM cells. The conductive line is electrically coupled to the drain regions of a first subgroup of the ROM cells, and is not electrically coupled to the drain regions of a second subgroup of the ROM cells. Alternately, a first subgroup of the ROM cells each includes a higher voltage threshold implant region in the channel region, whereas a second subgroup of the ROM cells each lack any higher voltage threshold implant region in the channel region.
(FR) La présente invention porte sur un dispositif de mémoire qui comprend une pluralité de cellules à mémoire morte (ROM) comprenant chacune des régions de source et de drain espacées formées dans un substrat comprenant une région de canal entre celles-ci, une première grille disposée au-dessus d'une première partie de la région de canal de et isolée vis-à-vis de celle-ci, une seconde grille disposée au-dessus d'une seconde partie de la région de canal et isolée vis-à-vis de celle-ci , et une film conducteur s'étendant au-dessus de la pluralité de cellules ROM. La ligne conductrice est couplée électriquement aux régions de drain d'un premier sous-groupe des cellules ROM, et n'est pas couplée électriquement aux régions de drain d'un second sous-groupe de cellules ROM. En variante, un premier sous-groupe des cellules ROM comprend, pour chaque cellule, une région d'implantation de seuil de tension supérieur dans la région de canal, tandis qu'un second sous-groupe des cellules ROM ne présente, pour chaque cellule, aucune région d'implantation de seuil de tension supérieur dans la région de canal.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)