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1. (WO2016137681) AMPLIFICATEURS DE DÉTECTION BASÉS SUR UN TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP DE TYPE P (PFET) POUR LIRE DES CELLULES BINAIRES DE MÉMOIRE À PORTE PASSANTE PFET, ET SYSTÈMES DE MÉMOIRE ET PROCÉDÉS ASSOCIÉS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/137681 N° de la demande internationale : PCT/US2016/016096
Date de publication : 01.09.2016 Date de dépôt international : 02.02.2016
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 16.02.2017
CIB :
G11C 7/06 (2006.01) ,G11C 7/08 (2006.01) ,G11C 11/412 (2006.01) ,G11C 11/419 (2006.01) ,G11C 11/418 (2006.01)
Déposants : QUALCOMM INCORPORATED[US/US]; ATTN: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714, US
Inventeurs : NGUYEN, Hoan, Huu; US
ATALLAH, Francois, Ibrahim; US
BOWMAN, Keith, Alan; US
HANSQUINE, David, Joseph Winston; US
JEONG, Jihoon; US
Mandataire : TERRANOVA, Steven, N.; US
Données relatives à la priorité :
14/862,48323.09.2015US
62/119,76723.02.2015US
Titre (EN) P-TYPE FIELD-EFFECT TRANSISTOR (PFET)-BASED SENSE AMPLIFIERS FOR READING PFET PASS-GATE MEMORY BIT CELLS, AND RELATED MEMORY SYSTEMS AND METHODS
(FR) AMPLIFICATEURS DE DÉTECTION BASÉS SUR UN TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP DE TYPE P (PFET) POUR LIRE DES CELLULES BINAIRES DE MÉMOIRE À PORTE PASSANTE PFET, ET SYSTÈMES DE MÉMOIRE ET PROCÉDÉS ASSOCIÉS
Abrégé : front page image
(EN) P-type Field-effect Transistor (PFET)-based sense amplifiers for reading PFET pass-gate memory bit cells ("bit cells") are disclosed. Related methods and systems are also disclosed. Sense amplifiers are provided in a memory system to sense bit line voltage(s) of the bit cells for reading the data stored in the bit cells. It has been observed that as node technology is scaled down in size, PFET drive current (i.e., drive strength) exceeds N-type Field-effect Transistor (NFET) drive current due for like-dimensioned FETs. In this regard, in one aspect, PFET-based sense amplifiers are provided in a memory system to increase memory read times to the bit cells, and thus improve memory read performance.
(FR) Amplificateurs de détection basés sur un Transistor à effet de Champ de type P (PFET) pour lire des cellules binaires de mémoire à porte passante PFET ("cellules binaires"). L'invention concerne également des procédés et des systèmes associés. Des amplificateurs de détection sont disposés dans un système de mémoire pour détecter une(des) tension(s) de ligne de bits des cellules binaires pour lire les données stockées dans les cellules binaires. On a observé que, lorsque la taille de la technologie de noeud est réduite, le courant d'entraînement de PFET (c'est-à-dire, force d'entraînement) dépasse le courant d'entraînement de Transistor à effet de Champ de type N (NFET) en raison de FET de mêmes dimensions. A cet égard, selon un aspect de l'invention, des amplificateurs de détection basés sur un PFET sont disposés dans un système de mémoire pour augmenter les temps de lecture de mémoire vers les cellules binaires, et donc améliorer les performances de lecture de mémoire.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)