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1. (WO2016137678) CIRCUITS D'ASSISTANCE À L'ÉCRITURE À AMPLIFICATION NÉGATIVE DE LIGNE DE MOTS POUR CELLULES DE BIT DE MÉMOIRE UTILISANT UN OU DES PORT(S) D'ÉCRITURE À TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP DE TYPE P (PFET), ET SYSTÈMES ET PROCÉDÉS ASSOCIÉS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/137678    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/016085
Date de publication : 01.09.2016 Date de dépôt international : 02.02.2016
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    22.12.2016    
CIB :
G11C 8/08 (2006.01), G11C 11/419 (2006.01)
Déposants : QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; ATTN: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714 (US)
Inventeurs : JEONG, Jihoon; (US).
ATALLAH, Francois, Ibrahim; (US).
BOWMAN, Keith, Alan; (US).
HANSQUINE, David, Joseph Winston; (US).
NGUYEN, Hoan, Huu; (US)
Mandataire : TERRANOVA, Steven, N.; (US)
Données relatives à la priorité :
62/119,763 23.02.2015 US
14/862,555 23.09.2015 US
Titre (EN) WORDLINE NEGATIVE BOOST WRITE-ASSIST CIRCUITS FOR MEMORY BIT CELLS EMPLOYING A P-TYPE FIELD-EFFECT TRANSISTOR (PFET) WRITE PORT(S), AND RELATED SYSTEMS AND METHODS
(FR) CIRCUITS D'ASSISTANCE À L'ÉCRITURE À AMPLIFICATION NÉGATIVE DE LIGNE DE MOTS POUR CELLULES DE BIT DE MÉMOIRE UTILISANT UN OU DES PORT(S) D'ÉCRITURE À TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP DE TYPE P (PFET), ET SYSTÈMES ET PROCÉDÉS ASSOCIÉS
Abrégé : front page image
(EN)Write-assist circuits for memory bit cells ("bit cells") employing a P-type Field-Effect transistor (PFET) write port(s) are disclosed. Related methods and systems are also disclosed. It has been observed that as node technology is scaled down in size, PFET drive current (i.e., drive strength) exceeds N-type Field-Effect transistor (NFET) drive current for like-dimensioned FETs. In this regard, in one aspect, it is desired to provide bit cells having PFET write ports, as opposed to NFET write ports, to reduce memory write times to the bit cells, and thus improve memory performance. To mitigate a write contention that could otherwise occur when writing data to bit cells, a write-assist circuit provided in the form of negative wordline boost circuit can be employed to strengthen a PFET access transistor in a memory bit cell having a PFET write port(s).
(FR)L'invention concerne des circuits d'assistance à l'écriture pour des cellules de bit de mémoire ("cellules de bit") utilisant un ou des port(s) d'écriture à transistor à effet de champ de type P (PFET). L'invention concerne également des procédés et des systèmes associés. Il a été observé que lorsqu'une technologie de nœud est rétrécie en taille, le courant d'attaque de PFET (c'est-à-dire, l'intensité d'attaque) dépasse le courant d'attaque de transistor à effet de champ de type N (NFET) pour des FET de même dimensions. A cet égard, selon un aspect, il est souhaitable de fournir des cellules de bits ayant des ports d'écriture PFET, par opposition à des ports d'écriture NFET, pour réduire des temps d'écriture en mémoire dans les cellules de bit, et ainsi améliorer la performances de la mémoire. Pour atténuer un conflit d'écriture qui pourrait sinon se produire lors de l'écriture de données dans les cellules de bits, un circuit d'assistance à l'écriture fourni sous la forme d'un circuit d'amplification de ligne de mot négative peut être utilisé pour renforcer un transistor d'accès PFET dans une cellule de bit de mémoire ayant un ou des port(s) d'écriture PFET.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)