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1. (WO2016137669) STRUCTURE D'ÉLECTRODE POUR DISPOSITIF DE MÉMOIRE À COMMUTATION DE RÉSISTANCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/137669    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/015790
Date de publication : 01.09.2016 Date de dépôt international : 29.01.2016
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    29.08.2016    
CIB :
H01L 43/08 (2006.01), H01L 43/12 (2006.01)
Déposants : QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714 (US)
Inventeurs : LU, Yu; (US).
BAO, Junjing; (US).
LI, Xia; (US).
KANG, Seung Hyuk; (US)
Mandataire : TOLER, Jeffrey G.; (US)
Données relatives à la priorité :
14/630,438 24.02.2015 US
Titre (EN) ELECTRODE STRUCTURE FOR RESISTIVE MEMORY DEVICE
(FR) STRUCTURE D'ÉLECTRODE POUR DISPOSITIF DE MÉMOIRE À COMMUTATION DE RÉSISTANCE
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device includes a resistive memory device bottom electrode (118, 120) formed on an interconnect (104, 108). The bottom electrode comprised of cobalt tungsten phosphorus (CoWP), preferably formed by electroless deposition, is particularly suited for magnetic tunnel junction MRAM devices (126, 128).
(FR)L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur qui comprend une électrode inférieure (118, 120) de dispositif de mémoire à commutation de résistance formée sur une interconnexion (104, 108). L'électrode inférieure constituée d'un alliage cobalt-tungstène-phosphore (CoWP), de préférence formée par dépôt autocatalytique, est particulièrement appropriée pour des dispositifs MRAM (126, 128) à jonction tunnel magnétique (JTM).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)