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1. (WO2016137668) TRANSISTOR À COUCHES MINCES À EFFET TUNNEL À STRUCTURE D'HÉTÉROJONCTION

Pub. No.:    WO/2016/137668    International Application No.:    PCT/US2016/015789
Publication Date: Fri Sep 02 01:59:59 CEST 2016 International Filing Date: Sat Jan 30 00:59:59 CET 2016
IPC: H01L 29/786
H01L 29/739
H01L 29/08
Applicants: SNAPTRACK INC.
Inventors: NOMURA, Kenji
HONG, John Hyunchul
Title: TRANSISTOR À COUCHES MINCES À EFFET TUNNEL À STRUCTURE D'HÉTÉROJONCTION
Abstract:
La présente invention concerne des transistors à couches minces (TFT) comprenant des structures d'hétérojonction p-n. Une structure d'hétérojonction p-n peut comprendre une jonction entre un matériau à petite bande interdite et un matériau à grande bande interdite. Le matériau à petite bande interdite, qui peut être un oxyde, nitrure, séléniure ou sulfure, est le matériau de canal actif du TFT et peut offrir une relativement grande mobilité des porteurs. Les structures d'hétérojonction facilitent l'effet tunnel bande à bande et la suppression de courants à l'état bloqué des TFT. Dans divers modes de réalisation, les TFT peuvent être formés sur des substrats souples et ont des capacités de traitement à basse température.