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1. (WO2016137551) DISPOSITIF DE MÉMOIRE EN TROIS DIMENSIONS DOTÉ D'UNE COUCHE DE COMPENSATION DE CONTRAINTE DANS UN EMPILEMENT DE LIGNES DE MOTS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/137551    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/062775
Date de publication : 01.09.2016 Date de dépôt international : 25.11.2015
CIB :
H01L 27/115 (2006.01)
Déposants : SANDISK TECHNOLOGIES LLC [US/US]; Two Legacy Town Center 6900 North Dallas Parkway Plano, Texas 75024 (US)
Inventeurs : XU, Jiyin; (US)
Mandataire : RADOMSKY, Leon; (US)
Données relatives à la priorité :
14/628,741 23.02.2015 US
Titre (EN) THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE WITH STRESS COMPENSATION LAYER WITHIN A WORD LINE STACK
(FR) DISPOSITIF DE MÉMOIRE EN TROIS DIMENSIONS DOTÉ D'UNE COUCHE DE COMPENSATION DE CONTRAINTE DANS UN EMPILEMENT DE LIGNES DE MOTS
Abrégé : front page image
(EN)A first stack of alternating layers including first insulating layers and first sacrificial material layers is formed on a substrate. Dielectric oxide layers applying compressive stress are formed on the top surface of the first stack and on the bottom surface of the substrate. A second stack of alternating layers including second insulating layers and second sacrificial material layers is formed over the top dielectric oxide layer. After formation of lateral recesses by removal of the first and second sacrificial material layers, a bottom dielectric oxide layer is removed. A conductive material applying a tensile stress is deposited into the backside recesses to form electrically conductive layers. The compressive stress applied by the top dielectric oxide layer partially cancels the tensile stress applied by the electrically conductive layers, and reduces the curvature of the substrate that has a concave bottom surface.
(FR)Un premier empilement de couches alternées comprenant des premières couches isolantes et des premières couches de matériau sacrificiel est formé sur un substrat. Des couches d'oxyde diélectrique appliquant une contrainte de compression sont formées sur la surface supérieure du premier empilement et sur la surface inférieure du substrat. Un second empilement de couches alternées comprenant des secondes couches isolantes et des secondes couches de matériau sacrificiel est formé au-dessus de la couche d'oxyde diélectrique supérieure. Après la formation d'évidements latéraux par le retrait des premières et secondes couches de matériau sacrificiel, une couche d'oxyde diélectrique inférieure est retirée. Un matériau conducteur appliquant une contrainte de traction est déposé dans les évidements arrière pour former des couches électroconductrices. La contrainte de compression appliquée par la couche d'oxyde diélectrique supérieure annule partiellement la contrainte de traction appliquée par les couches électroconductrices, et réduit la courbure du substrat qui a une surface inférieure concave.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)