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1. (WO2016137437) DÉTERMINATION D'UN ÉTAT D'UNE CELLULE DE MEMRISTOR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/137437    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/017242
Date de publication : 01.09.2016 Date de dépôt international : 24.02.2015
CIB :
H01L 21/8247 (2006.01), H01L 27/115 (2006.01)
Déposants : HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP [US/US]; 11445 Compaq Center Drive West Houston, TX 77070 (US)
Inventeurs : JEON, Yoocharn; (KR)
Mandataire : COLLINS, David; (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) DETERMINING A STATE OF A MEMRISTOR CELL
(FR) DÉTERMINATION D'UN ÉTAT D'UNE CELLULE DE MEMRISTOR
Abrégé : front page image
(EN)A disclosed example method involves, at a first time, biasing the selected control line to a first voltage, biasing a second one of control lines in an array to a second voltage, biasing the selected signal line to a third voltage to cause a sneak current through the second one of the control lines in the array, the third voltage different from the second voltage, and sampling and holding, via a subtraction circuit, the sneak current through the selected signal line. The disclosed example method also involves, at a second time after the first time, biasing the selected control line to a fourth voltage to cause a read current through the selected signal line, and measuring, via a sense circuit, the read current after the sneak current is removed from the selected signal line via the subtraction circuit.
(FR)La présente invention décrit un procédé donné à titre d'exemple consistant, dans un premier temps, à polariser la ligne de commande sélectionnée à une première tension, à polariser un deuxième des lignes de commande d'un réseau à une deuxième tension, à polariser la ligne de signal sélectionnée à une troisième tension pour amener un courant vagabond dans la deuxième des lignes de commande du réseau, la troisième tension étant différente de la deuxième tension, et à échantillonner et à maintenir, par l'intermédiaire d'un circuit de soustraction, le courant vagabond dans la ligne de signal sélectionnée. Le procédé décrit donné à titre d'exemple consiste, dans un deuxième temps après le premier temps, à polariser la ligne de commande sélectionnée à une quatrième tension pour provoquer un courant de lecture dans la ligne de signal sélectionnée, et à mesurer, par l'intermédiaire d'un circuit de détection, le courant de lecture après que le courant vagabond a été retiré de la ligne de signal sélectionnée par l'intermédiaire du circuit de soustraction.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)