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1. (WO2016137227) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/137227 N° de la demande internationale : PCT/KR2016/001805
Date de publication : 01.09.2016 Date de dépôt international : 24.02.2016
CIB :
H01L 33/48 (2010.01) ,H01L 33/54 (2010.01) ,H01L 33/56 (2010.01) ,H01L 33/02 (2010.01)
Déposants : SEMICON LIGHT CO.,LTD.[KR/KR]; 3F 49, Wongomae-ro 2beon-gil, Giheung-gu Yongin-si Gyeonggi-do 446-901, KR
Inventeurs : JEON, Soo Kun; KR
BAEK, Seung Ho; KR
RHEE, Hye Ji; KR
Mandataire : AN, Sang Jeong; KR
Données relatives à la priorité :
10-2015-002580924.02.2015KR
10-2015-002581024.02.2015KR
10-2015-004692602.04.2015KR
10-2015-005037409.04.2015KR
Titre (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(KO) 반도체 발광소자 및 이의 제조방법
Abrégé : front page image
(EN) Disclosed are a semiconductor light emitting device and a manufacturing method therefor, the semiconductor light emitting device comprising: a semiconductor light emitting chip having a plurality of semiconductor layers generating light by the recombining of electrons and holes, and an electrode electrically connected to a plurality of the semiconductor layers; a wall positioned around the semiconductor light emitting chip and having an upper end elevated by surface tension; a first encapsulation material formed at a cavity formed by the upper end of the wall so as to cover the semiconductor light emitting chip; and a second encapsulation material interposed at least between the wall and the semiconductor light emitting chip.
(FR) L'invention porte sur un dispositif électroluminescent à semi-conducteur et sur son procédé de fabrication, le dispositif électroluminescent à semi-conducteur comprenant : une puce électroluminescente à semi-conducteur comportant une pluralité de couches de semi-conducteur générant de la lumière par la recombinaison d'électrons et de trous, et une électrode raccordée électriquement à une pluralité de couches de semi-conducteur; une paroi positionnée autour de la puce électroluminescente à semi-conducteur et comportant une extrémité supérieure surélevée par la tension superficielle; un premier matériau d'encapsulation formé au niveau d'une cavité formée par l'extrémité supérieure de la paroi de sorte à recouvrir la puce électroluminescente à semi-conducteur; et un second matériau d'encapsulation intercalé au moins entre la paroi et la puce électroluminescente à semi-conducteur.
(KO) 본 개시는 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 복수의 반도체층, 및 복수의 반도체층에 전기적으로 연결된 전극을 가지는 반도체 발광칩; 반도체 발광칩 주변에 위치하는 벽(wall);으로서, 표면장력에 의해 상승된(elevated) 상단을 가지는 벽; 반도체 발광칩을 덮도록(cover) 벽의 상단이 형성하는 캐비티(cavity)에 형성된 제1 봉지재; 그리고 적어도 벽과 반도체 발광칩의 사이에 개재된 제2 봉지재;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 및 이의 제조방법(SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME)에 관한 것이다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)