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1. (WO2016137165) FILM D'ISOLATION DE GRILLE COMPRENANT UN ÉLECTROLYTE SOLIDE ET TRANSISTOR À COUCHES MINCES LE COMPRENANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/137165    N° de la demande internationale :    PCT/KR2016/001666
Date de publication : 01.09.2016 Date de dépôt international : 19.02.2016
CIB :
H01L 27/32 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : DONGGUK UNIVERSITY INDUSTRY-ACADEMIC COOPERATION FOUNDATION [KR/KR]; 30, Pildong-ro 1-gil Jung-gu Seoul 04620 (KR)
Inventeurs : NOH, Yong Young; (KR)
Mandataire : BAEK, Du Jin; (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2015-0026592 25.02.2015 KR
Titre (EN) GATE INSULATOR FILM INCLUDING SOLID ELECTROLYTE AND THIN FILM TRANSISTOR INCLUDING SAME
(FR) FILM D'ISOLATION DE GRILLE COMPRENANT UN ÉLECTROLYTE SOLIDE ET TRANSISTOR À COUCHES MINCES LE COMPRENANT
(KO) 고체전해질이 포함된 게이트 절연막 및 이를 포함한 박막트랜지스터
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a gate insulator film including a solid electrolyte and a thin film transistor including the same. In a gate insulator film which constitutes a thin film transistor, the gate insulator film is formed by mixing a fluorocarbon-based insulation polymer and ionic liquid and, especially, the gate insulator film is formed by mixing P(VDF-HFP) and ionic liquid with P(VDF-TrFE), wherein the P(VDF-HFP) and ionic liquid are mixed with the P(VDF-TrFE) at a volumetric ratio of 99:1 to 98:2.
(FR)La présente invention concerne un film d'isolation de grille comprenant un électrolyte solide et un transistor à couches minces qui le comprend. Dans un film d'isolation de grille qui constitue un transistor à couches minces, le film d'isolation de grille est formé par mélange d'un polymère isolant à base de fluorocarbone et d'un liquide ionique, et en particulier, le film d'isolation de grille est formé par mélange de P(VDF-HFP) et d'un liquide ionique avec du P(VDF-TrFE), le P(VDF-HFP) et le liquide ionique étant mélangés avec le P(VDF-TrFE) en un rapport volumétrique allant de 99 : 1 à 98 : 2.
(KO)본 발명은 고체전해질이 포함된 게이트 절연막 및 이를 포함한 박막트랜지스터에 관한 것으로, 박막트랜지스터를 구성하는 게이트 절연막에 있어서, 상기 게이트 절연막은 불소계 절연고분자 및 이온성 액체를 혼합하여 구성되며, 특히 상기 게이트 절연막은 P(VDF-TrFE)에 P(VDF-HFP) 및 이온성 액체를 혼합하여 구성되되, 상기 P(VDF-TrFE)에 P(VDF-HFP) 및 이온성 액체가 혼합되는 비율은 99:1 내지 98:2 부피비인 것을 특징으로 하는 게이트 절연막 및 이를 포함한 박막트랜지스터를 제공한다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)