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1. (WO2016137030) PROCÉDÉ D'AMÉLIORATION DES PERFORMANCES D'UN TRANSISTOR À ONDES DE PLASMA
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/137030 N° de la demande internationale : PCT/KR2015/001821
Date de publication : 01.09.2016 Date de dépôt international : 25.02.2015
CIB :
H01L 21/336 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334
Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335
Transistors à effet de champ
336
à grille isolée
Déposants : KOREA ADVANCED INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY[KR/KR]; 291, Daehak-ro, Yuseong-gu, Daejeon 305-701, KR
UNIST(ULSAN NATIONAL INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY)[KR/KR]; 50, UNIST-gil, Eonyang-eup Ulju-gun Ulsan 44919, KR
Inventeurs : CHOI, Yang-Kyu; KR
KIM, Kyung Rok; KR
JEON, Chang-Hoon; KR
MOON, Dong-Il; KR
Mandataire : KIM, Sung Ho; KR
Données relatives à la priorité :
10-2015-002601324.02.2015KR
Titre (EN) METHOD FOR ENHANCING PERFORMANCE OF PLASMA-WAVE TRANSISTOR
(FR) PROCÉDÉ D'AMÉLIORATION DES PERFORMANCES D'UN TRANSISTOR À ONDES DE PLASMA
Abrégé :
(EN) The method for enhancing the performance of a transistor may be provided that includes forming a nano-wire on a substrate, applying strain to the nano-wire to bend the nano-wire, forming a source electrode, a drain electrode and a gate electrode, and manufacturing a transistor including the bent nano-wire formed by the applying of the strain, and source electrode, drain electrode and gate electrode formed by the forming of the electrodes. Through the above configuration, a silicon device that operates in a terahertz band can be more easily manufactured, and it is possible to evaluate whether or not the silicon device operates as a plasma-wave transistor.
(FR) La présente invention concerne un procédé pour améliorer les performances d'un transistor qui comprend de former un nanofil sur un substrat, d'appliquer un effort sur le nanofil pour courber le nanofil, former une électrode de source, une électrode de drain et une électrode de grille, et fabriquer un transistor comprenant le nanofil courbé formé par l'application de l'effort, et l'électrode de source, l'électrode de drain et l'électrode de grille formées par la formation des électrodes. Grâce à la configuration décrite ci-dessus, un dispositif de silicium qui fonctionne dans une bande térahertz peut être plus facile à fabriquer, et il est possible d'évaluer si oui ou non le dispositif de silicium fonctionne comme un transistor à ondes de plasma.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)