WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2016136669) APPAREIL DE TRAITEMENT À PLASMA MICRO-ONDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/136669    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/055064
Date de publication : 01.09.2016 Date de dépôt international : 22.02.2016
CIB :
H05H 1/24 (2006.01), B01J 19/08 (2006.01), C23C 16/455 (2006.01), C23C 16/511 (2006.01), C23C 16/513 (2006.01), H05H 1/46 (2006.01)
Déposants : NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP/JP]; 3-1, Kasumigaseki 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008921 (JP)
Inventeurs : KIM Jaeho; (JP).
SAKAKITA Hajime; (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-038677 27.02.2015 JP
Titre (EN) MICROWAVE PLASMA TREATMENT APPARATUS
(FR) APPAREIL DE TRAITEMENT À PLASMA MICRO-ONDE
(JA) マイクロ波プラズマ処理装置
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a microwave plasma treatment apparatus in which a complex, long gas flow path inside a dielectric substrate is eliminated, which allows plasma to be generated and sustained stably. The microwave plasma treatment apparatus makes it possible to generate highly uniform, high-density, and stable low-temperature plasma even at intermediate atmospheric pressures and high atmospheric pressures as well as low atmospheric pressures. The microwave plasma treatment apparatus includes: a dielectric substrate; a microwave input unit; a microstrip line; a ground conductor; a gas inlet; a plasma generating unit; a nozzle for blowing out plasma; etc. In the microwave plasma treatment apparatus, the gas inlet is provided at the ground conductor or the microstrip line. Furthermore, preferably, the diameter of the gas inlet is made smaller than the cutoff wavelength, which is determined according to the cross section of the gas inlet, thereby preventing leakage of microwaves.
(FR)L'invention concerne un appareil de traitement à plasma micro-onde dans lequel le long et complexe trajet d'écoulement de gaz à l'intérieur d'un substrat diélectrique est supprimé, ce qui permet au plasma d'être généré de manière stable et prolongée. L'appareil de traitement à plasma micro-onde permet de générer du plasma à basse température stable, à haute densité et hautement uniforme même à des pressions atmosphériques intermédiaires et à des pressions atmosphériques élevées ainsi qu'à des pressions atmosphériques faibles. L'appareil de traitement à plasma micro-onde comprend : un substrat diélectrique ; une unité d'entrée de micro-ondes ; une ligne microruban ; un conducteur de mise à la terre ; une entrée de gaz ; une unité de génération de plasma ; une buse pour souffler le plasma ; etc. Dans l'appareil de traitement à plasma micro-onde, l'entrée de gaz se trouve au niveau du conducteur de mise à la terre ou de la ligne microruban. En outre, de préférence, le diamètre de l'entrée de gaz est rendu plus petit que la longueur d'onde de coupure, qui est déterminée en fonction de la section transversale de l'entrée de gaz, ce qui permet d'empêcher la fuite de micro-ondes.
(JA) 誘電体基板の内部の複雑で長いガス流路をなくして、プラズマの生成と維持が安定したマイクロ波プラズマ処理装置であって、低気圧に限らず中間気圧及び高気圧においても高い一様性と高密度、かつ安定な低温プラズマを発生することが可能なマイクロ波プラズマ処理装置を提供する。誘電体基板、マイクロ波入力部、マイクロストリップ線路、アース導体、ガス入力口、プラズマ発生部、プラズマを吹き出させるためのノズル等を備えるマイクロプラズマ処理装置において、前記ガス入力口を、前記アース導体又はマイクロストリップ線路に設け、好ましくは、該ガス入力口の直径が、ガス入力口の断面により決まる遮断波長より小さくして、マイクロ波が漏れないようにする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)