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1. (WO2016136552) SUBSTRAT DE GaN ORIENTÉ DANS LE PLAN-C

Pub. No.:    WO/2016/136552    International Application No.:    PCT/JP2016/054550
Publication Date: Fri Sep 02 01:59:59 CEST 2016 International Filing Date: Thu Feb 18 00:59:59 CET 2016
IPC: C30B 29/38
C23C 16/34
C30B 25/04
Applicants: MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION
三菱ケミカル株式会社
Inventors: ISO, Kenji
磯 憲司
KIMURA, Hiromitsu
木村 博充
SAITO, Yuya
齋藤 雄也
ENATSU, Yuuki
江夏 悠貴
Title: SUBSTRAT DE GaN ORIENTÉ DANS LE PLAN-C
Abstract:
L'invention concerne un substrat de GaN orienté dans le plan-C grâce auquel les contraintes de forme et de dimension imposées aux dispositifs à semi-conducteur de nitrure formés sur ledit substrat sont moins rigides, et dans lequel des variations de l'angle de décalage à l'intérieur de la surface principale sont supprimées, même si ledit substrat est en cristaux de GaN développés selon un procédé dans lequel des creux sont créés dans la surface de croissance. L'invention décrit un substrat de GaNorienté dans le plan-C : une pluralité de régions de croissance de facettes ayant chaque une forme en anneau fermé sont observées sur une surface principale; la densité en nombre de régions de croissance de facettes accompagnées d'un noyau parmi ladite pluralité de régions de croissance de facettes est inférieure à 5 cm-2 sur la surface principale; et, lorsqu'une région circulaire d'un diamètre de 4 cm est sélectionnée de façon discrétionnaire à partir d'une zone à l'intérieur de la surface principale située à une distance supérieure ou égale à 5 mm de distance des extrémités périphériques extérieures du substrat, la plage de variation de la composante de direction de l'axe a et la composante de direction de l'axe m de l'angle de décalage à l'intérieur de la région circulaire est inférieure ou égale à 0,25 degré.