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1. (WO2016136552) SUBSTRAT DE GaN ORIENTÉ DANS LE PLAN-C
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/136552    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/054550
Date de publication : 01.09.2016 Date de dépôt international : 17.02.2016
CIB :
C30B 29/38 (2006.01), C23C 16/34 (2006.01), C30B 25/04 (2006.01)
Déposants : MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION [JP/JP]; 1-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008251 (JP)
Inventeurs : ISO, Kenji; (JP).
KIMURA, Hiromitsu; (JP).
SAITO, Yuya; (JP).
ENATSU, Yuuki; (JP)
Mandataire : KAWAGUCHI, Yoshiyuki; (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-032948 23.02.2015 JP
Titre (EN) C-PLANE GaN SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT DE GaN ORIENTÉ DANS LE PLAN-C
(JA) C面GaN基板
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a C-plane GaN substrate with which constraints in shape and size imposed on nitride semiconductor devices formed on said substrate are lenient, and in which variations in off-angle within the principal surface are suppressed, even though said substrate is made of GaN crystals grown according to a method in which pits are created in the growth surface. Provided is a C-plane GaN substrate wherein: a plurality of facet growth regions each having a closed-ring shape are observed on a principal surface; the number density of facet growth regions accompanied by a core among said plurality of facet growth regions is less than 5 cm-2 on the principal surface; and, when a circular region having a diameter of 4 cm is selected discretionarily from an area within the principal surface located at a distance equal to or more than 5 mm away from the outer peripheral ends of the substrate, the range of variation of the a-axis direction component and the m-axis direction component of the off-angle within the circular region is equal to or less than 0.25 degrees.
(FR)L'invention concerne un substrat de GaN orienté dans le plan-C grâce auquel les contraintes de forme et de dimension imposées aux dispositifs à semi-conducteur de nitrure formés sur ledit substrat sont moins rigides, et dans lequel des variations de l'angle de décalage à l'intérieur de la surface principale sont supprimées, même si ledit substrat est en cristaux de GaN développés selon un procédé dans lequel des creux sont créés dans la surface de croissance. L'invention décrit un substrat de GaNorienté dans le plan-C : une pluralité de régions de croissance de facettes ayant chaque une forme en anneau fermé sont observées sur une surface principale; la densité en nombre de régions de croissance de facettes accompagnées d'un noyau parmi ladite pluralité de régions de croissance de facettes est inférieure à 5 cm-2 sur la surface principale; et, lorsqu'une région circulaire d'un diamètre de 4 cm est sélectionnée de façon discrétionnaire à partir d'une zone à l'intérieur de la surface principale située à une distance supérieure ou égale à 5 mm de distance des extrémités périphériques extérieures du substrat, la plage de variation de la composante de direction de l'axe a et la composante de direction de l'axe m de l'angle de décalage à l'intérieur de la région circulaire est inférieure ou égale à 0,25 degré.
(JA)成長面にピットを発生させる方法で成長されたGaN結晶から作られるものでありながら、当該基板上に形成される窒化物半導体デバイスが受ける形状および寸法上の制約が緩やかで、かつ、主表面内におけるオフ角の変動が抑制された、C面GaN基板を提供する。各々が閉環形状を有する複数のファセット成長領域が主表面に観察され、該複数のファセット成長領域のうちコアを付随するファセット成長領域の数密度が該主表面上において5cm-2未満であり、かつ、該主表面のうち基板の外周端からの距離が5mm以上の部分から、直径4cmの円形領域をどのように選んでも、該円形領域内におけるオフ角のa軸方向成分およびm軸方向成分の変動幅がそれぞれ0.25度以下である、C面GaN基板が提供される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)