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1. (WO2016136548) MODÈLE À SEMI-CONDUCTEURS AU NITRURE, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET TRANCHE ÉPITAXIALE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/136548    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/054540
Date de publication : 01.09.2016 Date de dépôt international : 17.02.2016
CIB :
H01L 21/205 (2006.01), C23C 16/34 (2006.01), C30B 29/38 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 33/32 (2010.01)
Déposants : SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 27-1, Shinkawa 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1048260 (JP)
Inventeurs : NEMOTO, Shusei; (JP).
KONNO, Taichiro; (JP).
FUJIKURA, Hajime; (JP)
Mandataire : HIRATA, Tadao; (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-039553 27.02.2015 JP
Titre (EN) NITRIDE SEMICONDUCTOR TEMPLATE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND EPITAXIAL WAFER
(FR) MODÈLE À SEMI-CONDUCTEURS AU NITRURE, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET TRANCHE ÉPITAXIALE
(JA) 窒化物半導体テンプレート及びその製造方法、並びにエピタキシャルウエハ
Abrégé : front page image
(EN)Provided, in one embodiment of the present invention, is a nitride semiconductor template having: a heterogeneous substrate 11; a first nitride semiconductor layer 13 which is formed on a plane 11a of the heterogeneous substrate 11, comprises a nitride semiconductor, and has an in-plane thickness variation of 4.0% or less; and a second nitride semiconductor layer 15 which is formed on an annular region including an outer periphery of a plane 11b of the heterogeneous substrate 11, comprises the nitride semiconductor, and has a thickness of 1 μm or more.
(FR)Selon un mode de réalisation, l'invention concerne un modèle à semi-conducteurs au nitrure comprenant : un substrat hétérogène 11 ; une première couche à semi-conducteurs au nitrure 13 qui est formée sur un plan 11a du substrat hétérogène 11, comprend un semi-conducteur au nitrure, et a une variation d'épaisseur dans le plan de 4,0 % ou moins ; et une deuxième couche à semi-conducteurs au nitrure 15 qui est formée sur une région annulaire comprenant une périphérie extérieure d'un plan 11b du substrat hétérogène 11, comprend le semi-conducteur au nitrure, et a une épaisseur de 1 μm ou plus.
(JA)本発明の一実施形態において、異種基板11と、異種基板11の面11a上に形成された、窒化物半導体からなる、厚さの面内ばらつきが4.0%以下の第1の窒化物半導体層13と、異種基板11の面11bの外周を含む環状領域上に形成された、前記窒化物半導体からなる、厚さ1μm以上の第2の窒化物半導体層15と、を有する窒化物半導体テンプレートが提供される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)