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1. (WO2016136516) DISPOSITIF ONDULEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/136516    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/054273
Date de publication : 01.09.2016 Date de dépôt international : 15.02.2016
CIB :
H02M 7/48 (2007.01)
Déposants : MEIDENSHA CORPORATION [JP/JP]; 1-1, Osaki 2-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1416029 (JP)
Inventeurs : ENDO, Takato; (JP)
Mandataire : KOBAYASHI, Hiromichi; (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-033457 24.02.2015 JP
Titre (EN) INVERTER DEVICE
(FR) DISPOSITIF ONDULEUR
(JA) インバータ装置
Abrégé : front page image
(EN)Circuit inductance between smoothing capacitors connected to connection conductors for positive and negative electrodes, and semiconductor power modules which form inverters, increases in accordance with current imbalance in the circuit loop. Arms of each phase which connect the semiconductor power modules in series are in a state of overlapping each other, and are arranged in the same direction as the semiconductor power modules connected to the connection conductors for the positive electrodes, and the semiconductor power modules connected to the connection conductors for the negative electrodes. Gaps are provided between the arranged electrodes of the semiconductor power modules. In these gaps, the connection conductors for the positive and negative electrodes are provided in a parallel state with an insulation member therebetween. The connection conductors are bent in the vicinity of connection terminals of the semiconductor power modules to attach the semiconductor power modules.
(FR)Selon l’invention, l’inductance de circuit entre des condensateurs de lissage, connectés à des conducteurs de connexion pour des électrodes positive et négative, et des modules de puissance semi-conducteurs qui forment des onduleurs Les bras de chaque phase qui connectent les modules de puissance semi-conducteurs en série se trouvent dans un état de superposition des uns par rapport aux autres, et sont agencés dans la même direction que les modules de puissance semi-conducteurs connectés aux conducteurs de connexion pour l’électrode positive, et les modules de puissance semi-conducteurs connectés aux conducteurs de connexion pour l’électrode négative. Des espaces sont ménagés entre les électrodes agencées des modules de puissance semi-conducteurs. Dans ces espaces, les conducteurs de connexion pour les électrodes positive et négative sont disposés dans un état parallèle, un organe d’isolation étant intercalé. Les conducteurs de connexion sont courbés au voisinage de bornes de connexion des modules de puissance semi-conducteurs pour fixer les modules de puissance semi-conducteurs.
(JA) 正、負極の接続導体に接続される平滑コンデンサと、インバータを構成する半導体パワーモジュール間において、電流の回路ループの不均衡に伴って回路インダクタンスが大きくなっていた。 半導体パワーモジュールを直列に接続した相毎のアームを重ねた状態で、且つ正極用の接続導体に接続される半導体パワーモジュールと負極用の接続導体に接続される半導体パワーモジュール同一方向に配列する。半導体パワーモジュールの配列された極間に間隙を設け、この間隙に絶縁部材を挟んで並行状態に正、負極用の接続導体を設ける。接続導体は、半導体パワーモジュールの接続端子付近で屈曲して半導体パワーモジュールを取り付ける。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)