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1. (WO2016136479) CORPS FRITTÉ À BASE D'OXYDES, CIBLE DE PULVÉRISATION ET FILM MINCE SEMI-CONDUCTEUR À BASE D'OXYDES AINSI OBTENU
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/136479    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/054013
Date de publication : 01.09.2016 Date de dépôt international : 10.02.2016
CIB :
C04B 35/00 (2006.01), C23C 14/08 (2006.01), C23C 14/34 (2006.01)
Déposants : SUMITOMO METAL MINING CO., LTD. [JP/JP]; 11-3, Shimbashi 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1058716 (JP)
Inventeurs : NISHIMURA, Eiichiro; (JP).
NAKAYAMA, Tokuyuki; (JP).
MATSUMURA, Fumihiko; (JP)
Mandataire : SHOBAYASHI, Masayuki; (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-038735 27.02.2015 JP
Titre (EN) OXIDE SINTERED BODY, SPUTTERING TARGET, AND OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM OBTAINED THEREFROM
(FR) CORPS FRITTÉ À BASE D'OXYDES, CIBLE DE PULVÉRISATION ET FILM MINCE SEMI-CONDUCTEUR À BASE D'OXYDES AINSI OBTENU
(JA) 酸化物焼結体、スパッタリング用ターゲット、及びそれを用いて得られる酸化物半導体薄膜
Abrégé : front page image
(EN)The purpose of the present invention is to provide: a sputtering target with which an amorphous oxide semiconductor thin film that has good wet etching properties and high carrier mobility can be formed; an oxide sintered body which is well-suited for obtaining the sputtering target; and an oxide semiconductor thin film which is obtained from the sputtering target and which has low carrier density and high carrier mobility. The oxide sintered body is characterized by comprising indium, gallium, and silicon as the oxide, the content of the gallium in Ga/(In+Ga) atomic ratio being 0.08 to 0.49, and the content of silicon in Si/(In+Ga+Si) atomic ratio being 0.0001 or more and less than 0.25.
(FR)L'invention concerne une cible de pulvérisation avec laquelle un film mince semi-conducteur à base d'oxyde amorphe qui présente de bonnes propriétés de gravure humide et une grande mobilité de porteur peut être formé ; un corps fritté à base d'oxydes qui est bien approprié pour obtenir la cible de pulvérisation ; et un film mince semi-conducteur à base d'oxydes qui est obtenu à partir de la cible de pulvérisation et qui présente une faible densité de porteurs et une grande mobilité de porteurs. Le corps fritté à base d'oxydes est caractérisé en ce qu'il comprend de l'indium, du gallium et du silicium en tant qu'oxydes, la teneur en gallium exprimée dans le rapport atomique Ga/ (In + Ga) étant de 0,08 à 0,49, et la teneur en silicium exprimée dans le rapport atomique Si/ (in + Ga + Si) étant de 0,0001 ou supérieur mais inférieur à 0,25.
(JA) 良好なウエットエッチング性と高いキャリア移動度を示す非晶質の酸化物半導体薄膜の形成が可能なスパッタリング用ターゲット、それを得るのに最適な酸化物焼結体、ならびにそれを用いて得られる低いキャリア濃度と高いキャリア移動度を示す酸化物半導体薄膜を提供すること。 インジウム、ガリウム及びケイ素を酸化物として含有し、ガリウムの含有量がGa/(In+Ga)原子数比で0.08以上0.49以下であり、ケイ素の含有量がSi/(In+Ga+Si)原子数比で0.0001以上0.25未満であることを特徴とする酸化物焼結体である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)