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1. (WO2016136409) COMPOSITION PERMETTANT LA FORMATION DE FILM CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ PERMETTANT LA FORMATION DE FILM CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/136409 N° de la demande internationale : PCT/JP2016/053240
Date de publication : 01.09.2016 Date de dépôt international : 03.02.2016
CIB :
C09D 11/52 (2014.01) ,C01G 3/02 (2006.01) ,H01B 1/00 (2006.01) ,H01B 1/20 (2006.01) ,H01B 13/00 (2006.01) ,H05K 1/09 (2006.01)
Déposants : FUJIFILM CORPORATION[JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620, JP
Inventeurs : HAYATA Yuuichi; JP
Mandataire : WATANABE Mochitoshi; JP
Données relatives à la priorité :
2015-03765927.02.2015JP
Titre (EN) COMPOSITION FOR FORMING CONDUCTIVE FILM AND METHOD FOR PRODUCING CONDUCTIVE FILM
(FR) COMPOSITION PERMETTANT LA FORMATION DE FILM CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ PERMETTANT LA FORMATION DE FILM CONDUCTEUR
(JA) 導電膜形成用組成物、および、導電膜の製造方法
Abrégé :
(EN) The present invention provides: a composition for forming a conductive film, which is capable of forming a conductive film that has excellent electrical conductivity, while being suppressed in deterioration of the electrical conductivity even after a folding test; and a method for producing a conductive film. A composition for forming a conductive film according to the present invention contains copper (II) oxide particles and a polyhydric alcohol. The average length of the copper (II) oxide particles is 10-3,000 nm, the average breadth of the copper (II) oxide particles is 1 nm or more but less than 10 nm, and the ratio of the average length to the average breadth is more than 5 but 300 or less. The average particle diameter of the copper (II) oxide particles as measured by a dynamic light scattering method is 10-500 nm. The content of the polyhydric alcohol is 20-1,000 parts by mass per 100 parts by mass of the copper (II) oxide particles.
(FR) La présente invention concerne : une composition permettant la formation d'un film conducteur, qui permet de former un film conducteur qui a une excellente conductivité électrique et dont la détérioration de conductivité électrique, même après un test de pliage, est en même temps supprimée ; et un procédé permettant la production d'un film conducteur. La composition permettant la formation d'un film conducteur selon la présente invention contient des particules d'oxyde de cuivre (II) et un polyol. La longueur moyenne des particules d'oxyde de cuivre (II) est de 10 à 3 000 nm, la largeur moyenne des particules d'oxyde de cuivre (II) est supérieure ou égale à 1 nm mais inférieure à 10 nm et le rapport de la longueur moyenne à la largeur moyenne est supérieur à 5 mais inférieur ou égal à 300. Le diamètre moyen de particule des particules d'oxyde de cuivre (II), mesuré par un procédé de diffusion dynamique de la lumière, est de 10 à 500 nm. La teneur du polyol est de 20 à 1 000 parties en masse pour 100 parties en masse des particules d'oxyde de cuivre (II).
(JA)  本発明は、優れた導電性を示すと共に、折り曲げ試験後にも導電性の劣化が抑制された導電膜を形成することができる導電膜形成用組成物、および、導電膜の製造方法を提供する。本発明の導電膜形成用組成物は、酸化第二銅粒子と、多価アルコールとを含み、酸化第二銅粒子の長径の平均値が10~3000nmであり、酸化第二銅粒子の短径の平均値が1nm以上10nm未満であり、短径の平均値に対する長径の平均値の比が5超300以下であり、動的光散乱法にて測定される酸化第二銅粒子の平均粒子径が、10~500nmであり、多価アルコールの含有量が酸化第二銅粒子100質量部に対して20~1000質量部である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)