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1. (WO2016135693) SYSTÈME POUR LE DÉPÔT PAR PULVÉRISATION MAGNÉTRON D'UN FILM D'UN MATÉRIAU DE BASE SUR LA SURFACE INTÉRIEURE D'UN SUBSTRAT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/135693    N° de la demande internationale :    PCT/IB2016/051073
Date de publication : 01.09.2016 Date de dépôt international : 26.02.2016
CIB :
H01J 37/34 (2006.01), C23C 14/35 (2006.01), C23C 14/34 (2006.01), C23C 14/16 (2006.01)
Déposants : ISTITUTO NAZIONALE DI FISICA NUCLEARE [IT/IT]; Via E. Fermi, 40 00044 Frascati (RM) (IT)
Inventeurs : PALMIERI, Vincenzo; (IT).
KEPPEL, Giorgio; (IT).
FRANCO LESPINASSE, Daniel Adrien; (IT)
Mandataire : MAROSCIA, Antonio; (IT)
Données relatives à la priorité :
VI2015A000060 27.02.2015 IT
Titre (EN) SYSTEM FOR MAGNETRON SPUTTERING DEPOSITION OF A FILM OF A BASE MATERIAL ON THE INTERIOR SURFACE OF A SUBSTRATE
(FR) SYSTÈME POUR LE DÉPÔT PAR PULVÉRISATION MAGNÉTRON D'UN FILM D'UN MATÉRIAU DE BASE SUR LA SURFACE INTÉRIEURE D'UN SUBSTRAT
Abrégé : front page image
(EN)A system (1) for magnetron sputtering deposition of a relatively thin film of a base material on the interior surface (S) of an annular cavity (C) of a substrate (B). The system comprises a cathode target (2) made of the base material having a longitudinal axis (X) and an air gap (3) formed between an outer cylindrical tubular wall (4) and an inner cylindrical wall (5) which are substantially coaxial and are joined by a transverse connection wall (6), a magnetic structure (8) consisting of a tubular support (8) with an end edge (10) and an exterior cylindrical surface (11) for supporting a magnetic track (13). The cathode (2) is coupled to the substrate (B) and defines a vacuum region (V) for a plasma of the base material. The magnetic structure (8) is inserted in the air gap (3) with its end edge (10) facing the connection wall (6) of the cathode (2) to confine the plasma on the exterior surface (12), and is designed to rotate in the air gap (3) about the longitudinal axis (X), with the end edge (10) proximate to the connection wall (6). The magnetic track (13) comprises a pair of substantially straight sections (14, 15) which extends to the end edge (10) and are joined by at least one intermediate curved section (16).
(FR)La présente invention porte sur un système (1) pour le dépôt par pulvérisation magnétron d'une couche relativement mince d'un matériau de base sur la surface intérieure (S) d'une cavité annulaire (C) d'un substrat (B). Ce système comprend une cible cathodique (2) constituée du matériau de base et ayant un axe longitudinal (X) et un entrefer (3) ménagé entre une paroi tubulaire cylindrique externe (4) et une paroi cylindrique interne (5), qui sont sensiblement coaxiales et qui sont jointes par une paroi de liaison transversale (6), et une structure magnétique (8) constituée d'un support tubulaire (8) pourvu d'un bord d'extrémité (10) et d'une surface cylindrique extérieure (11) destinée à porter une piste magnétique (13). La cathode (2) est couplée au substrat (B) et délimite une région de vide (V) pour un plasma du matériau de base. La structure magnétique (8) est insérée dans l'entrefer (3), son bord d'extrémité (10) étant en regard de la paroi de liaison (6) de la cathode (2) afin de confiner le plasma sur la surface extérieure (12), et est conçue pour tourner dans l'entrefer (3) autour de l'axe longitudinal (X), le bord d'extrémité (10) se trouvant à proximité de la paroi de liaison (6). La piste magnétique (13) comprend une paire de sections sensiblement droites (14, 15) qui s'étendent jusqu'au bord d'extrémité (10) et qui sont jointes par au moins une section courbe intermédiaire (16).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : italien (IT)