WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2016134705) PROCÉDÉ À TEMPÉRATURE AMBIANTE DE FABRICATION DE COUCHES MINCES ÉLECTROTECHNIQUES, LEUR UTILISATION ET DISPOSITIF DE CHAUFFAGE À COUCHE MINCE AINSI OBTENU
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/134705    N° de la demande internationale :    PCT/DE2016/100085
Date de publication : 01.09.2016 Date de dépôt international : 26.02.2016
CIB :
H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/36 (2006.01)
Déposants : DYNAMIC SOLAR SYSTEMS AG [DE/DE]; Friedrich-Ebert-Anlage 49 60308 Frankfurt (DE)
Inventeurs : LINDER, Patrick; (DE).
LINDER, Daniel; (DE)
Mandataire : KREUZKAMP, Markus; (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2015 102 801.8 26.02.2015 DE
10 2015 015 435.4 02.12.2015 DE
Titre (DE) RAUMTEMPERATUR-VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG ELEKTROTECHNISCHER DÜNNSCHICHTEN, DEREN VERWENDUNG UND SO ERHALTENE DÜNNSCHICHTHEIZUNG
(EN) ROOM TEMPERATURE METHOD FOR THE PRODUCTION OF ELECTROTECHNICAL THIN LAYERS, THE USE OF SAME, AND A THIN LAYER HEATING SYSTEM OBTAINED IN THIS MANNER
(FR) PROCÉDÉ À TEMPÉRATURE AMBIANTE DE FABRICATION DE COUCHES MINCES ÉLECTROTECHNIQUES, LEUR UTILISATION ET DISPOSITIF DE CHAUFFAGE À COUCHE MINCE AINSI OBTENU
Abrégé : front page image
(DE)Elektrotechnische Dünnschichten, welche als Heizwiderstand und/oder Substrat für Leiterschichten verwendbar sind, werden in den etablierten Verfahren hochpreisig und extrem langsam hergestellt. Die Lösung dieses Problems erfolgt durch eine redoxreaktiv abgeschiedene, graphithaltige, bei Raumtemperatur ausgebildete Basisschicht, auf welcher gleichsinnig bei Raumtemperatur während der abschließenden Aushärtung ein Metall per Redoxreaktion innerhalb von Minuten bis wenigen Sekunden eine Metallschicht im Mikrometer-Maßstab ausbildet. Die so zugängliche Doppelschicht ist hoch flexibel, erlaubt das Auflöten auf Kupferschichten und kann besonders vorteilhaft als Dünnschicht-Heizung verwendet werden.
(EN)Electrotechnical thin layers which can be used as a heating resistor and/or substrate for conductive layers are produced, in established methods, at high prices and extremely slowly. This problem is solved by virtue of a redox-reactively-deposited base layer which contains graphite, is formed at room temperature and on which, in the same sense, a metal forms a micrometer-scale metal layer within minutes to a few seconds by means of a redox reaction, at room temperature and during the definitive curing process. The double layer made available in this manner is highly flexible, allows soldering on copper layers, and can be used particularly advantageously as a thin-layer heating system.
(FR)L'invention aborde le problème de la fabrication des couches minces électrotechniques pouvant être utilisées en tant que résistance chauffante et/ou substrat pour des couches conductrices qui, avec le procédé selon l'état de la technique, est coûteuse et extrêmement longue. Selon l'invention, la solution à ce problème réside dans une couche de base déposée par réaction d'oxydoréduction, contenant du graphite et formée à température ambiante, sur laquelle un métal forme, par réaction d'oxydoréduction, une couche métallique à l'échelle micrométrique en quelques minutes à quelques secondes dans le même sens à température ambiante pendant le durcissement final. La double couche ainsi accessible est extrêmement flexible, permet le brasage sur des couches de cuivre et peut être utilisée de manière particulièrement avantageuse comme un dispositif de chauffage à couche mince.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)