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1. (WO2016129109) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION CORRESPONDANT

Pub. No.:    WO/2016/129109    International Application No.:    PCT/JP2015/053997
Publication Date: Fri Aug 19 01:59:59 CEST 2016 International Filing Date: Sat Feb 14 00:59:59 CET 2015
IPC: H01L 27/14
H01L 21/3205
H01L 21/768
H01L 21/82
H01L 23/522
H04N 5/369
Applicants: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION
ルネサスエレクトロニクス株式会社
Inventors: SEKIKAWA, Hiroaki
関川 宏昭
Title: DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION CORRESPONDANT
Abstract:
L'invention porte sur un dispositif à semi-conducteur comportant : une pluralité de lignes de câblage (WR11) formées au-dessus d'un substrat semi-conducteur, lesdites lignes de câblage étant formées dans une même couche; et une pluralité de lignes de câblage (WR12) formées dans la même couche avec les lignes de câblage (WR11). Les lignes de câblage (WR11) s'étendent dans la direction de l'axe X dans une vue en plan, et sont disposées à un pas (PT11) dans la direction de l'axe Y coupant la direction de l'axe X, et les lignes de câblage (WR12) s'étendent dans la direction de l'axe X dans la vue en plan, et sont disposées à un pas (PT12) dans la direction de l'axe Y. Les lignes de câblage (WR11) sont électriquement connectées aux lignes de câblage (WR12), respectivement, et le pas (PT11) est plus petit que le pas (PT12).