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1. (WO2016127675) DISPOSITIF OPTOÉLECTRONIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/127675 N° de la demande internationale : PCT/CN2015/094197
Date de publication : 18.08.2016 Date de dépôt international : 10.11.2015
CIB :
H01L 33/02 (2010.01) ,H01L 33/12 (2010.01) ,H01L 33/00 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
H ÉLECTRICITÉ
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ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
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ayant une structure de relaxation des contraintes, p.ex. couche tampon
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
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Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
Déposants :
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 SUZHOU INSTITUTE OF NANO-TECH AND NANO-BIONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES [CN/CN]; 中国江苏省苏州市 工业园区若水路398号王鹏飞 WANG, Pengfei No 398, Ruoshui Road, SIP Suzhou, Jiangsu 215125, CN
Inventeurs :
张瑞英 ZHANG, Ruiying; CN
Mandataire :
南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) NANJING LI & FENG INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY(SPECIAL GENERAL PARTNERSHIP); 中国江苏省南京市 秦淮区中华路50号江苏国际经贸大厦1801室王锋 WANG, Feng Room 1801, Jiangsu International Trade Building No. 50, Zhonghua Road, Qinhuai District Nanjing, Jiangsu 211100, CN
Données relatives à la priorité :
201510071944.211.02.2015CN
Titre (EN) OPTOELECTRONIC DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) DISPOSITIF OPTOÉLECTRONIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 光电子器件及其制作方法
Abrégé :
(EN) An optoelectronic device comprises: a base substrate (10); a dielectric structure (40), formed on the base substrate and having a high depth-width proportion; a great-mismatch heterogeneous semiconductor material in the dielectric structure having a high depth-width proportion; and electrodes (60, 70) covering a font surface and a back surface. The great-mismatch heterogeneous semiconductor material of the optoelectronic device at least comprises a strain-free buffering layer (52), a core layer (53) and a coating layer (54) that are all located in a trench of the dielectric structure, and the semiconductor material does not protrude over the top surface of the dielectric structure. In addition, the device structure also comprises an electrode contact layer (55) located in the dielectric trench or on the trench, and comprises electrodes on a front surface and a back surface. The mismatch and dislocation between the mismatch material and the base substrate can be completely captured by the dielectric structure, the semiconductor material of the optoelectronic device grows in the dielectric structure, and the crystal quality is high.
(FR) L'invention porte sur un dispositif optoélectronique qui comprend : un substrat de base (10) ; une structure diélectrique (40), formée sur le substrat de base et ayant une proportion profondeur-largeur élevée ; un matériau semi-conducteur hétérogène, à fort désaccord dans la structure diélectrique, ayant une proportion profondeur-largeur élevée ; des électrodes (60, 70) couvrant une surface avant et une surface arrière. Le matériau semi-conducteur hétérogène à fort désaccord du dispositif optoélectronique comprend au moins une couche tampon sans contrainte (52), une couche centrale (53) et une couche de revêtement (54) qui sont toutes situées dans une tranchée de la structure diélectrique, et le matériau semi-conducteur ne fait pas saillie sur la surface supérieure de la structure diélectrique. En outre, la structure du dispositif comprend également une couche de contact d'électrode (55) située dans la tranchée diélectrique ou sur la tranchée, et comprend des électrodes sur une surface avant et une surface arrière. Le désaccord et la dislocation entre le matériau à désaccord et le substrat de base peuvent être complètement capturés par la structure diélectrique, le matériau semi-conducteur du dispositif optoélectronique se développe dans la structure diélectrique, et la qualité cristalline est élevée.
(ZH) 一种光电子器件,包括基础衬底(10),形成于基础衬底上的具有高深宽比的介质结构(40)、高深宽比介质结构内的大失配异质半导体材料以及覆盖于正面和背面的电极(60、70),其中,光电子器件的大失配异质半导体材料至少包括无应变缓冲层(52)、芯层(53)和包覆层(54)均位于介质结构的沟槽内,且半导体材料不突出于介质结构的顶面。此外,该器件结构还包括位于介质沟槽内或者沟槽上的电极接触层(55)以及正面和背面电极。可以完全将失配材料和基础衬底之间的失配位错被介质结构捕获,且光电子器件的半导体材料生长在介质结构内,晶体质量高。
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)