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1. (WO2016126126) PROCÉDÉ DE MICRO-USINAGE PERMETTANT L'AMÉLIORATION DES PERFORMANCES DE DÉPLACEMENT D'AXE Z ET LA RÉDUCTION AU MINIMUM DE L'ÉCART DE PROFONDEUR DE STRUCTURE, ET CAPTEUR D'ACCÉLÉRATION UTILISANT CELUI-CI

Pub. No.:    WO/2016/126126    International Application No.:    PCT/KR2016/001263
Publication Date: Fri Aug 12 01:59:59 CEST 2016 International Filing Date: Fri Feb 05 00:59:59 CET 2016
IPC: H01L 21/027
H01L 27/12
G01P 15/08
Applicants: STANDING EGG INC.
주식회사 스탠딩에그
Inventors: PARK, Jong Sam
박종삼
LEE, Jong Sung
이종성
KWON, Seong Ho
권성호
WOO, Jong Chang
우종창
Title: PROCÉDÉ DE MICRO-USINAGE PERMETTANT L'AMÉLIORATION DES PERFORMANCES DE DÉPLACEMENT D'AXE Z ET LA RÉDUCTION AU MINIMUM DE L'ÉCART DE PROFONDEUR DE STRUCTURE, ET CAPTEUR D'ACCÉLÉRATION UTILISANT CELUI-CI
Abstract:
Procédé de micro-usinage, qui permet une amélioration des performances de déplacement d'axe z et la réduction au minimum de l'écart de profondeur d'une structure, comprenant : une étape (S100) destinée à préparer une plaquette de silicium-sur-isolant (SOI) comprenant une couche supérieure de silicium, un substrat de support qui est formé à partir de silicium, et une couche isolante entre le substrat de support et la couche supérieure de silicium ; une étape (S200) destinée à graver, par application sur la couche supérieure de silicium, d'une première résine photosensible et d'une seconde résine photosensible ; une étape (S300) destinée à, grâce à l'utilisation de la partie qui est ouverte au moyen de la gravure de l'étape (S200), effectuer une première gravure profonde par la gravure de la couche supérieure de silicium de telle sorte que la couche isolante est exposée ; une étape (S400) destinée à former une couche d'oxyde sur le côté latéral de la couche supérieure de silicium qui a été gravée profondément à l'étape (S300) et graver dans la direction de profondeur la couche isolante qui est exposée sur la partie inférieure de la couche supérieure de silicium ; une étape (S500) pour effectuer une seconde gravure profonde du substrat de support qui est exposé au moyen de la gravure de l'étape (S400) ; et une étape destinée à retirer le substrat de support, qui est une couche sacrificielle, de telle sorte qu'une partie MEMS est libérée au moyen de la plaque de support qui est exposée au moyen de la seconde gravure profonde de l'étape (S500).