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1. (WO2016125803) ÉLÉMENT DE CELLULE SOLAIRE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION CORRESPONDANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/125803 N° de la demande internationale : PCT/JP2016/053093
Date de publication : 11.08.2016 Date de dépôt international : 02.02.2016
CIB :
H01L 31/068 (2012.01) ,H01L 31/0224 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
04
adaptés comme dispositifs de conversion
06
caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
068
les barrières de potentiel étant uniquement du type homojonction PN, p.ex. cellules solaires à homojonction PN en silicium massif ou cellules solaires à homojonction PN en couches minces de silicium polycristallin
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
02
Détails
0224
Electrodes
Déposants : KYOCERA CORPORATION[JP/JP]; 6, Takeda Tobadono-cho, Fushimi-ku, Kyoto-shi Kyoto 6128501, JP
Inventeurs : MATSUSHIMA, Norihiko; JP
MURAO, Akira; JP
KITAYAMA, Satoshi; JP
GOTOU, Shigeru; JP
INAI, Seiichiro; JP
SHIBAHARA, Motoki; JP
Données relatives à la priorité :
2015-01852902.02.2015JP
Titre (EN) SOLAR CELL ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) ÉLÉMENT DE CELLULE SOLAIRE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION CORRESPONDANT
(JA) 太陽電池素子およびその製造方法
Abrégé :
(EN) A solar cell element according to an embodiment of the present invention is provided with: a semiconductor substrate having a first surface, and a second surface located on the opposite side from the first surface; a passivation film disposed on the second surface of the semiconductor substrate; first electrodes in contact with the semiconductor substrate in a state of penetrating the passivation film at a plurality of positions; a second electrode disposed in a straight line on the semiconductor substrate, on the passivation film or in a state of penetrating the passivation film, at a location that does not overlap with the first electrodes in plan view; and a third electrode covering the passivation film, the first electrodes, and a part of the second electrode so as to be in contact with the first electrodes and the second electrode. The electrical resistance of the first electrodes is smaller than that of the third electrode.
(FR) La présente invention concerne, selon un mode de réalisation, un élément de cellule solaire comprenant : un substrat semi-conducteur présentant une première surface et une seconde surface située à l'opposé de la première surface; un film de passivation disposé sur la seconde surface du substrat semi-conducteur; des premières électrodes en contact avec le substrat semi-conducteur dans un état de pénétration dans le film de passivation au niveau d'une pluralité de positions; une deuxième électrode disposée en ligne droite sur le substrat semi-conducteur, sur le film de passivation ou dans un état de pénétration dans le film de passivation, à un emplacement qui ne chevauche pas les premières électrodes en vue plane; et une troisième électrode couvrant le film de passivation, les premières électrodes et une partie de la deuxième électrode de manière à être en contact avec les premières électrodes et la deuxième électrode. La résistance électrique des premières électrodes est inférieure à celle de la troisième électrode.
(JA)  本発明の一形態に係る太陽電池素子は、第1面および該第1面の反対側に位置する第2面を有する半導体基板と、該半導体基板の前記第2面に配置されているパッシベーション膜と、該パッシベーション膜を多数箇所で貫通した状態で前記半導体基板に接している第1電極と、平面視して該第1電極に重ならない位置で、前記パッシベーション膜の上に、または前記パッシベーション膜を貫通した状態で、前記半導体基板の上に直線状に配置されている第2電極と、該第2電極の一部、前記パッシベーション膜および前記第1電極のそれぞれを覆っているとともに、前記第1電極および前記第2電極のそれぞれに接している第3電極と、を備え、前記第1電極の電気抵抗率が前記第3電極の電気抵抗率よりも小さい。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)