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1. (WO2016123881) DISPOSITIF DE MÉMOIRE RÉSISTIVE NON VOLATILE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/123881 N° de la demande internationale : PCT/CN2015/079005
Date de publication : 11.08.2016 Date de dépôt international : 14.05.2015
CIB :
H01L 45/00 (2006.01) ,H01L 27/10 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
45
Dispositifs à l'état solide spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la production d'oscillations ou la commutation, sans barrière de potentiel ni barrière de surface, p.ex. triodes diélectriques; Dispositifs à effet Ovshinsky; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
10
comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
Déposants : INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES[CN/CN]; No.3 Beitucheng West Road,Chaoyang District Beijing, Beijing 100029, CN
Inventeurs : LIU, Qi; CN
LIU, Ming; CN
SUN, Haitao; CN
LV, Hangbing; CN
LONG, Shibing; CN
BANERJEE, Writam; CN
ZHANG, Kangwei; CN
Mandataire : BEIJING BLUEIP INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY FIRM; Room 1803, No. 4 Building, No. 1 Shangdi Shi Avenue, Haidian District Beijing 100085, CN
Données relatives à la priorité :
201510061920.905.02.2015CN
Titre (EN) NONVOLATILE RESISTIVE MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) DISPOSITIF DE MÉMOIRE RÉSISTIVE NON VOLATILE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(ZH) 非挥发性阻变存储器件及其制备方法
Abrégé :
(EN) A nonvolatile resistive memory, comprising an inert metal electrode (15), a resistive functional layer (14), and an easily oxidizable metal electrode (12), and characterized in that: inserted between the easily oxidizable metal electrode (12) and the resistive functional layer (14) is a graphene barrier layer (13) that contains multiple nanopores (13A) and is capable of controlling metal ions formed when the metal of the easily oxidizable metal electrode (12) is oxidized during a device programming process to enter the resistive functional layer (14) only via the positions of the multiple nanopores (13A). The nonvolatile resistive memory device and the manufacturing method therefor have the structure of the graphene insertion layer (13) containing the nanopores (13A) added between the nonvolatile metal electrode (12) and the resistive functional layer (14) to stop diffusion of the metal ions, the metal ions formed by the easily oxidizable metal electrode (12) during the device programming process are allowed to enter the resistive functional layer (14) only via the positions of the nanopores (13A), thus controlling the positions at where electrically-conductive filaments grow.
(FR) L'invention concerne une mémoire résistive non volatile, comprenant une électrode métallique inerte (15), une couche fonctionnelle résistive (14) et une électrode métallique facilement oxydable (12), et caractérisée en ce que : entre l'électrode métallique facilement oxydable (12) et la couche fonctionnelle résistive (14) est insérée une couche barrière de graphène (13) qui contient de multiples nanopores (13A) et permet d'agir sur des ions métalliques formés lorsque le métal de l'électrode métallique facilement oxydable (12) est oxydé au cours d'un processus de programmation de dispositif de façon qu'ils entrent dans la couche fonctionnelle résistive (14) en passant uniquement par les positions des multiples nanopores (13A). Dans le dispositif de mémoire résistive non volatile et son procédé de fabrication, la structure de la couche d'insertion de graphène (13) contenant les nanopores (13A) est ajoutée entre l'électrode métallique non volatile (12) et la couche fonctionnelle résistive (14) pour arrêter la diffusion des ions métalliques, les ions métalliques formés par l'électrode métallique facilement oxydable (12) au cours du processus de programmation du dispositif sont autorisés à entrer dans la couche fonctionnelle résistive (14) en passant uniquement par les positions des nanopores (13A), ce qui permet de limiter les positions auxquelles des filaments électroconducteurs se développent.
(ZH) 一种非挥发性阻变存储器,包括惰性金属电极(15)、阻变功能层(14)、易氧化金属电极(12),其特征在于:在易氧化金属电极(12)与阻变功能层(14)之间插入含多个纳米孔(13A)的石墨烯阻挡层(13),能够控制器件编程过程中易氧化金属电极(12)的金属氧化后,形成的金属离子只能通过多个纳米孔(13A)的位置进入到阻变功能层(14)中。该非挥发性阻变存储器件的制造方法,在易氧化金属电极(12)与阻变功能层(14)之间增加含有纳米孔(13A)的石墨烯插层(13)结构,阻挡金属离子的扩散,器件在编程过程中易氧化金属电极(12)中形成的金属离子只能通过纳米孔(13A)的位置处进入到阻变功能层(14),从而控制导电细丝生长位置。
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)