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1. (WO2016122081) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE COUCHE MINCE DE CHALCOGÉNURE DE MÉTAL

Pub. No.:    WO/2016/122081    International Application No.:    PCT/KR2015/010285
Publication Date: Fri Aug 05 01:59:59 CEST 2016 International Filing Date: Thu Oct 01 01:59:59 CEST 2015
IPC: H01L 31/0236
H01L 31/0264
Applicants: LG ELECTRONICS INC.
엘지전자 주식회사
RESEARCH & BUSINESS FOUNDATION SUNGKYUNKWAN UNIVERSITY
성균관대학교산학협력단
Inventors: CHOI, Minseok
최민석
LEE, Changgu
이창구
KIM, Youngchan
김영찬
Title: PROCÉDÉ DE FABRICATION DE COUCHE MINCE DE CHALCOGÉNURE DE MÉTAL
Abstract:
La présente invention concerne la fabrication d'une couche mince d'hétéroéléments et, plus particulièrement, un procédé de fabrication d'une couche mince de chalcogénure de métal, éventuellement sur un substrat souple. Selon un mode de réalisation de l'invention, ledit procédé de production d'une couche mince de chalcogénure de métal comprend les étapes consistant à : former une couche de prévention de diffusion sur un substrat métallique en forme de feuille ; et distribuer un précurseur de métal de transition et un gaz contenant du chalcogène sur la couche de prévention de diffusion, de manière à former la couche de chalcogénure de métal.