Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2016120398) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN COMPOSANT À SEMI-CONDUCTEUR ET COMPOSANT À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2016/120398 N° de la demande internationale : PCT/EP2016/051827
Date de publication : 04.08.2016 Date de dépôt international : 28.01.2016
CIB :
H01L 33/00 (2010.01) ,H01L 33/38 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
36
caractérisés par les électrodes
38
ayant une forme particulière
Déposants :
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
X-CELEPRINT LIMITED [IE/IE]; Lee Maltings Dyke Parade Cork, IE
Inventeurs :
MEITL, Matthew; US
BOWER, Christopher; US
VARGHESE, Tansen; DE
Mandataire :
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Données relatives à la priorité :
62/110,36530.01.2015US
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR COMPONENT AND SEMICONDUCTOR COMPONENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN COMPOSANT À SEMI-CONDUCTEUR ET COMPOSANT À SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé :
(EN) A method for producing a plurality of semiconductor components is provided, wherein a semiconductor layer sequence having a first semiconductor layer, a second semiconductor layer and an active region is applied on a substrate. A contact structure is formed for electrically contacting the first and the second semiconductor layers. An auxiliary substrate is applied on the semiconductor layer sequence, so that the semiconductor layer sequence is arranged between the auxiliary substrate and the substrate. In a subsequent step, the substrate is removed from the semiconductor layer sequence. The semiconductor layer sequence is structured into a plurality of semiconductor bodies by forming at least one trench separating the semiconductor bodies. An anchoring layer is formed to cover the trench and vertical surfaces of the semiconductor bodies. A plurality of tethers is formed by structuring the anchoring layer in regions covering the trench. The auxiliary substrate is locally detached from the semiconductor bodies, wherein the tethers remain attached to the auxiliary substrate. At least one semiconductor body is selectively picked up by separating the tethers from the auxiliary substrate. Moreover, a semiconductor component produced by said method is provided.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'une pluralité de composants à semi-conducteur, dans lequel une séquence de couches semi-conductrices comprenant une première couche semi-conductrice, une seconde couche semi-conductrice et une région active est appliquée sur un substrat. Une structure de contact est formée pour être en contact électrique avec les première et seconde couches semi-conductrices. Un substrat auxiliaire est appliqué sur la séquence de couches semi-conductrices, de manière que la séquence de couches semi-conductrices soit agencée entre le substrat auxiliaire et le substrat. À une étape suivante, le substrat est retiré de la séquence de couches semi-conductrices. La séquence de couches semi-conductrices est structurée en une pluralité de corps semi-conducteurs par formation d'au moins une tranchée séparant les corps semi-conducteurs. Une couche d'ancrage est formée pour couvrir la tranchée et des surfaces verticales des corps semi-conducteurs. Une pluralité d'attaches sont formées par structuration de la couche d'ancrage dans des régions couvrant la tranchée. Le substrat auxiliaire est détaché localement des corps semi-conducteurs, les attaches restant fixées au substrat auxiliaire. Au moins un corps semi-conducteur est sélectivement prélevé par séparation des attaches d'avec le substrat auxiliaire. Un composant à semi-conducteur fabriqué par ledit procédé est également décrit.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)