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1. (WO2016118862) SÉLECTION DE GERMES ET PROCÉDÉS DE CROISSANCE POUR RÉDUIRE LA FISSURE DE CRISTAUX MASSIFS DE NITRURE DU GROUPE III
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/118862    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/014522
Date de publication : 28.07.2016 Date de dépôt international : 22.01.2016
CIB :
C30B 29/40 (2006.01), C30B 7/10 (2006.01)
Déposants : SIXPOINT MATERIALS, INC. [US/US]; 37 Industrial Way, Unit 106 Buellton, California 93427 (US).
SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD. [KR/KR]; 97-11, Sandan-ro 163beon-gil Danwon-gu Ansan-si Gyeonggi-do 15429 (KR)
Inventeurs : HASHIMOTO, Tadao; (US).
LETTS, Edward; (US).
KEY, Daryl; (US)
Mandataire : HOLLAND, Charles D.; (US)
Données relatives à la priorité :
62/106,709 22.01.2015 US
Titre (EN) SEED SELECTION AND GROWTH METHODS FOR REDUCED-CRACK GROUP III NITRIDE BULK CRYSTALS
(FR) SÉLECTION DE GERMES ET PROCÉDÉS DE CROISSANCE POUR RÉDUIRE LA FISSURE DE CRISTAUX MASSIFS DE NITRURE DU GROUPE III
Abrégé : front page image
(EN)In one instance, the invention provides a method of growing bulk crystal of group III nitride using a seed crystal selected by (a) measuring x-ray rocking curves of a seed crystal at more than one point, (b) quantifying the peak widths of the measured x-ray rocking curves, and (c) evaluating the distribution of the quantified peak widths. The invention also includes the method of selecting a seed crystal for growing bulk crystal of group III nitride. The bulk crystal of group III nitride can be grown in supercritical ammonia or a melt of group III metal using at least one seed selected by the method above.
(FR)Dans un aspect, la présente invention concerne un procédé de croissance de cristal massif de nitrure du groupe III à l'aide d'un germe cristallin sélectionné par (a) la mesure des courbes de réflexion de rayons X d'un germe cristallin en plus d'un point, (b) la quantification des largeurs de pic des courbes de réflexion de rayons X mesurées, et (c) l'évaluation de la distribution des largeurs de pic quantifiées. La présente invention concerne également le procédé de sélection d'un germe cristallin pour la croissance d'un cristal massif de nitrure du groupe III. On peut faire croître le cristal massif de nitrure du groupe III dans de l'ammoniac supercritique ou dans une masse fondue du métal du groupe III à l'aide d'au moins un germe cristallin choisi par le procédé ci-avant.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)