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1. (WO2016118785) PROCÉDÉ DE FORMATION D'UNE MATRICE DE CELLULES DE MÉMOIRE À GRILLE SÉPARÉE AUTO-ALIGNÉES AVEC GRILLES MÉTALLIQUES ET DISPOSITIFS LOGIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/118785    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/014393
Date de publication : 28.07.2016 Date de dépôt international : 21.01.2016
CIB :
H01L 21/28 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01), H01L 29/66 (2006.01), H01L 29/788 (2006.01), H01L 27/115 (2006.01)
Déposants : SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 450 Holger Way San Jose, CA 95134 (US)
Inventeurs : YANG, Jeng-Wei; (TW).
CHEN, Chun-Ming; (TW).
WU, Man-Tang; (TW).
ZHOU, Feng; (US).
LIU, Xian; (US).
SU, Chien-Sheng; (US).
DO, Nhan; (US)
Mandataire : LIMBACH, Alan, A.; (US)
Données relatives à la priorité :
62/107,077 23.01.2015 US
15/003,659 21.01.2016 US
Titre (EN) METHOD OF FORMING SELF-ALIGNED SPLIT-GATE MEMORY CELL ARRAY WITH METAL GATES AND LOGIC DEVICES
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION D'UNE MATRICE DE CELLULES DE MÉMOIRE À GRILLE SÉPARÉE AUTO-ALIGNÉES AVEC GRILLES MÉTALLIQUES ET DISPOSITIFS LOGIQUES
Abrégé : front page image
(EN)A method of forming a memory device by forming spaced apart first and second regions with a channel region therebetween, forming a floating gate over and insulated from a first portion of the channel region, forming a control gate over and insulated from the floating gate, forming an erase gate over and insulated from the first region, and forming a select gate over and insulated from a second portion of the channel region. Forming of the floating gate includes forming a first insulation layer on the substrate, forming a first conductive layer on the first insulation layer, and performing two separate etches to form first and second trenches through the first conductive layer. A sidewall of the first conductive layer at the first trench has a negative slope and a sidewall of the first conductive layer at the second trench is vertical.
(FR)L'invention concerne un procédé de formation d'un dispositif de mémoire comprenant les étapes consistant à former des première et seconde zones séparées l'une de l'autre par une zone de canal, à former une grille flottante au-dessus d'une première partie de la zone de canal en l'isolant de celle-ci, à former une grille de contrôle au-dessus de la grille flottante en l'isolant de celle-ci, à former une grille d'effacement au-dessus de la première zone en l'isolant de celle-ci, et à former une grille de sélection au-dessus d'une seconde partie de la zone de canal en l'isolant de celle-ci. La formation de la grille flottante comprend la formation d'une première couche d'isolation sur le substrat, la formation d'une première couche conductrice sur la première couche d'isolation, et la réalisation de deux gravures séparées pour former des première et seconde tranchées à travers la première couche conductrice. Une paroi latérale de la première couche conductrice au niveau de la première tranchée présente une pente négative et une paroi latérale de la première couche conductrice au niveau de la seconde tranchée est verticale.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)