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1. (WO2016118376) FABRICATION D'UN TRANSISTOR COMPRENANT UNE COUCHE À EFFET TUNNEL
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/118376    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/013180
Date de publication : 28.07.2016 Date de dépôt international : 13.01.2016
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    16.11.2016    
CIB :
H01L 29/51 (2006.01), H01L 29/66 (2006.01), H01L 29/739 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 29/161 (2006.01), H01L 29/49 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714 (US)
Inventeurs : YUAN, Jun; (US).
LI, Xia; (US).
YANG, Bin; (US)
Mandataire : TOLER, Jeffrey G.; (US).
MOORE, Jason L.; (US).
MOORE, Jason, L.; Toler Law Group PC 8500 Bluffstone Cove Suite A201 Austin, TX 78759 (US)
Données relatives à la priorité :
14/604,544 23.01.2015 US
Titre (EN) FABRICATION OF A TRANSISTOR INCLUDING A TUNNELING LAYER
(FR) FABRICATION D'UN TRANSISTOR COMPRENANT UNE COUCHE À EFFET TUNNEL
Abrégé : front page image
(EN)In a particular embodiment, an apparatus includes an electron tunnel structure. The electron tunnel structure includes a tunneling layer, a channel layer, a source layer, and a drain layer. The tunneling layer and the channel layer are positioned between the source layer and the drain layer. The transistor device further includes a high-k dielectric layer adjacent to the electron tunnel structure.
(FR)Dans un mode de réalisation particulier, un appareil comprend une structure de tunnel d'électrons. La structure de tunnel d'électrons comprend une couche à effet tunnel, une couche de canal, une couche de source, et une couche de drain. La couche à effet tunnel et la couche de canal sont positionnées entre la couche de source et la couche de drain. Le dispositif de transistor comprend en outre une couche diélectrique à constante diélectrique, k, élevée adjacente à la structure de tunnel d'électrons.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)