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1. (WO2016118239) SEMI-CONDUCTEUR À OXYDE DE TYPE P À BASE D'ÉTAIN ET APPLICATIONS DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/118239    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/064131
Date de publication : 28.07.2016 Date de dépôt international : 04.12.2015
CIB :
H01L 29/66 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : SNAPTRACK, INC. [US/US]; 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714 (US)
Inventeurs : NOMURA, Kenji; (US)
Mandataire : BERGIN, Denise S.; (US)
Données relatives à la priorité :
14/603,186 22.01.2015 US
Titre (EN) TIN BASED P-TYPE OXIDE SEMICONDUCTOR AND THIN FILM TRANSISTOR APPLICATIONS
(FR) SEMI-CONDUCTEUR À OXYDE DE TYPE P À BASE D'ÉTAIN ET APPLICATIONS DE TRANSISTOR À COUCHES MINCES
Abrégé : front page image
(EN)This disclosure provides p-type metal oxide semiconductor thin films that display good thin film transistor (TFT) characteristics. The p-type metal oxide thin films include ternary or higher order tin-based (Sn-based) p-type oxides such as Sn (II)-M-O oxides where M is a metal. In some implementations, M is a metal selected from the d block or the p block of the periodic table. The oxides disclosed herein exhibit p-type conduction and wide bandgaps. Also provided are TFTs including channels that include p-type oxide semiconductors, and methods of fabrication. In some implementations, the p-channel TFTs have low off-currents.
(FR)La présente invention concerne des films minces semi-conducteurs à oxyde métallique de type p qui présentent de bonnes caractéristiques de transistor à couches minces (TFT pour Thin Film Transistor). Les films minces à oxyde métallique de type p comprennent des oxydes ternaires ou d'ordre supérieur de type p à base d'étain (Sn) tels que des oxydes à base de Sn (II)-M-O où M est un métal. Selon certains modes de réalisation, M est un métal sélectionné parmi le bloc d ou le bloc p du tableau périodique. Les oxydes de la présente invention présentent une conduction de type p et des largeurs de bande étendues. L'invention porte également sur des transistors TFT comprenant des canaux qui comportent des semi-conducteurs à oxyde de type p, et sur des procédés de fabrication. Selon certains modes de réalisation, les transistors TFT à canal p présentent de faibles courants d'arrêt.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)