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1. (WO2016118132) RÉSEAUX VCSEL MONOLITHIQUES À WDM PRÉSENTANT INTERDIFFUSION DE PUITS QUANTIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/118132    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/012357
Date de publication : 28.07.2016 Date de dépôt international : 22.01.2015
CIB :
G02B 6/30 (2006.01)
Déposants : HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP [US/US]; 11445 Compaq Center Drive West Houston, TX 77070 (US)
Inventeurs : MATHAI, Sagi Varghese; (US).
TAN, Michael Renne Ty; (US)
Mandataire : COLLINS, David W.; (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) MONOLITHIC WDM VCSEL ARRAYS BY QUANTUM WELL INTERMIXING
(FR) RÉSEAUX VCSEL MONOLITHIQUES À WDM PRÉSENTANT INTERDIFFUSION DE PUITS QUANTIQUE
Abrégé : front page image
(EN)An array of monolithic wavelength division multiplexed (WDM) vertical cavity surface emitting lasers (VCSELs) is provided with quantum well intermixing. Each VCSEL includes a bottom distributed Bragg reflector (DBR), an upper dis-tributed Bragg reflector, and a laser cavity therebetween. The laser cavity in-cludes a multiple quantum well (MQW) layer sandwiched between a lower separate confinement heterostructure (SCH) and an upper SCH layer. Each MQW region experiences a different amount of quantum well intermixing and concomitantly a different lasing wavelength shift.
(FR)L'invention concerne un réseau de lasers à cavité verticale émettant par la surface (VCSEL) monolithiques à multiplexage par répartition en longueur d'onde (WDM) qui comprend une interdiffusion de puits quantique. Chaque VCSEL comprend un réflecteur de Bragg distribué (DBR) inférieur, un réflecteur de Bragg distribué supérieur, et une cavité laser interposée entre ces derniers. La cavité laser comprend une couche à puits quantiques multiples (MQW) prise en sandwich entre une hétérostructure de confinement séparée (SCH) inférieure et une couche SCH supérieure. Chaque région à MQW est soumise à une quantité différente d'interdiffusion de puits quantique et simultanément à un décalage différent de longueur d'onde d'émission laser.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)