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1. (WO2016118080) AGENCEMENT DE COUCHES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/118080    N° de la demande internationale :    PCT/SG2016/050017
Date de publication : 28.07.2016 Date de dépôt international : 18.01.2016
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    12.07.2016    
CIB :
G11B 5/738 (2006.01), G11B 5/84 (2006.01), G11B 5/65 (2006.01)
Déposants : AGENCY FOR SCIENCE,TECHNOLOGY AND RESEARCH [SG/SG]; 1 Fusionopolis Way, #20-10 Connexis, Singapore 138632 (SG)
Inventeurs : CHER, Kiat Min Kelvin; (SG).
ZHOU, Tiejun; (SG).
LOW, Boon Hao Melvin; (SG)
Mandataire : VIERING, JENTSCHURA & PARTNER LLP; P.O. Box 1088 Rochor Post Office Rochor Road Singapore 911833 (SG)
Données relatives à la priorité :
10201500464Y 21.01.2015 SG
Titre (EN) LAYER ARRANGEMENT AND METHOD FOR FABRICATING THEREOF
(FR) AGENCEMENT DE COUCHES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)According to various embodiments, there is provided a layer arrangement including a substrate; a first seed layer arranged over the substrate, the first seed layer including an alloy of Ta; a second seed layer arranged over the first seed layer, the second seed layer including Ta; a third seed layer arranged over the second seed layer, the third seed layer including an alloy of Ni; an interlayer arranged over the third seed layer; and a recording layer arranged over the interlayer, the recording layer including a plurality of magnetic materials.
(FR)Selon divers modes de réalisation, l'invention concerne un agencement de couches comprenant un substrat; une première couche de germination disposée sur le substrat, la première couche de germe comprenant un alliage de Ta; une deuxième couche de germination disposée au-dessus de la première couche de germination, la deuxième couche de germination comprenant du Ta; une troisième couche de germination disposée au-dessus de la deuxième couche de germination, la troisième couche de germination comprenant un alliage de Ni; une couche intermédiaire disposée sur la troisième couche de germe; et une couche d'enregistrement disposée sur la couche intermédiaire, la couche d'enregistrement comprenant une pluralité de matériaux magnétiques.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)