WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2016117911) STRUCTURE D'ÉLECTRODE, DISPOSITIF ÉLECTROCHIMIQUE LA COMPRENANT, ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE STRUCTURE D'ÉLECTRODE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/117911    N° de la demande internationale :    PCT/KR2016/000556
Date de publication : 28.07.2016 Date de dépôt international : 19.01.2016
CIB :
H01M 4/88 (2006.01), H01M 8/02 (2006.01), H01M 8/12 (2006.01)
Déposants : GLOBAL FRONTIER CENTER FOR MULTISCALE ENERGY SYSTEMS [KR/KR]; 1 Gwanak-ro Gwanak-gu Seoul 08826 (KR).
SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION [KR/KR]; 1 Gwanak-ro Gwanak-gu Seoul 08826 (KR).
KOREA INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY [KR/KR]; 5 Hwarang-ro 14-gil Seongbuk-gu Seoul 02792 (KR)
Inventeurs : CHOI, Man Soo; (KR).
KIM, Jeong Hun; (KR).
SHIN, Sung Soo; (KR).
KIM, Hyoungchul; (KR).
SON, Ji-Won; (KR).
YOON, Kyung Joong; (KR).
HONG, Jongsup; (KR)
Mandataire : KIM, Aera; (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2015-0009270 20.01.2015 KR
Titre (EN) ELECTRODE STRUCTURE, ELECTROCHEMICAL DEVICE COMPRISING SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRODE STRUCTURE
(FR) STRUCTURE D'ÉLECTRODE, DISPOSITIF ÉLECTROCHIMIQUE LA COMPRENANT, ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE STRUCTURE D'ÉLECTRODE
(KO) 전극 구조체, 이를 구비하는 전기화학소자, 및 상기 전극 구조체의 제조방법
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides an electrode structure comprising: a lower structure comprising a first insulation layer and a first electrolyte layer formed sequentially on the upper surface of a lower substrate, and comprising at least two top-open channels formed in the first electrolyte layer; an upper structure comprising a second insulation layer and a second electrolyte layer formed sequentially on the lower surface of an upper substrate, and a current collector formed on the lower surface of the second electrolyte layer so as to have a predetermined pattern; and an electrode for covering inner surfaces of the at least two channels and the current collector in a state in which the first electrolyte layer of the lower structure and the second electrolyte layer of the upper structure are joined to each other, such that the current collector is accommodated in the at least two channels.
(FR)La présente invention concerne une structure d'électrode comprenant : une structure inférieure comprenant une première couche d'isolation et une première couche d'électrolyte formées séquentiellement sur la surface supérieure d'un substrat inférieur, et comprenant au moins deux canaux à ouverture supérieure formés dans la première couche d'électrolyte; une structure supérieure comprenant une seconde couche d'isolation et une seconde couche d'électrolyte formée séquentiellement sur la surface inférieure d'un substrat supérieur, et un collecteur de courant formé sur la surface inférieure de la seconde couche d'électrolyte de manière à avoir un motif prédéfini; et une électrode permettant de recouvrir des surfaces internes des deux canaux ou plus et le collecteur de courant dans un état dans lequel la première couche d'électrolyte de la structure inférieure et la seconde couche d'électrolyte de la structure supérieure sont reliées l'une à l'autre, de telle sorte que le collecteur de courant soit logé dans les deux canaux ou plus.
(KO)본 발명에 따르면, 하부 기판의 상부 표면에 순차적으로 형성된 제1 절연층 및 제1 전해질층을 구비하고, 상기 제1 전해질층에 형성된 적어도 2개 이상의 상부 개방 채널을 구비하는, 하부 구조체; 상부 기판의 하부 표면에 순차적으로 형성된 제2 절연층 및 제2 전해질층과, 상기 제2 전해질층의 하부 표면에 미리 결정된 패턴을 가지도록 형성된 집전체를 구비하는, 상부 구조체; 및 상기 적어도 2개 이상의 채널에 상기 집전체가 수용되도록 상기 하부 구조체의 상기 제1 전해질층과 상기 상부 구조체의 상기 제2 전해질층을 상호 접합시킨 상태에서 상기 적어도 2개 이상의 채널의 내측 표면 및 상기 집전체를 덮는 전극;을 포함하는 전극 구조체가 제공된다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)