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1. (WO2016117847) SYSTÈME DE COMMANDE ET PROCÉDÉ DE COMMANDE POUR LE DIAMÈTRE D'UN LINGOT MONOCRISTALLIN
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/117847    N° de la demande internationale :    PCT/KR2015/014588
Date de publication : 28.07.2016 Date de dépôt international : 31.12.2015
CIB :
C30B 15/20 (2006.01), C30B 15/32 (2006.01), C30B 29/06 (2006.01)
Déposants : LG SILTRON INC. [KR/KR]; 53 Imsu-ro Gumi-si Gyeongsangbuk-do 39386 (KR)
Inventeurs : KIM, Yun-Goo; (KR).
NA, Gwang-Ha; (KR).
AN, Yun-Ha; (KR)
Mandataire : KIM, Ki Moon; (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2015-0009976 21.01.2015 KR
Titre (EN) CONTROL SYSTEM AND CONTROL METHOD FOR DIAMETER OF SINGLE CRYSTAL INGOT
(FR) SYSTÈME DE COMMANDE ET PROCÉDÉ DE COMMANDE POUR LE DIAMÈTRE D'UN LINGOT MONOCRISTALLIN
(KO) 단결정 잉곳의 직경 제어 시스템 및 제어 방법
Abrégé : front page image
(EN)An embodiment of the present invention relates to a system for controlling the deviation in diameter of a silicon ingot when growing a silicon ingot using the Czochralski method, and the system may comprise: a seed chuck for supporting a silicon ingot which is growing and combined with a seed, also known as a seed crystal; a measuring unit for measuring the load applied to the seed chuck by being connected to the upper surface of the seed chuck via a cable; a load control unit for changing the load applied to a silicon ingot by moving the location of the seed chuck toward the upper or lower portions in a state in which the seed chuck is connected to a cable; and a control unit for controlling the load applied to the silicon ingot by driving the load control unit in accordance with a load value measured at the measuring unit. Accordingly, vibration of the seed is prevented while the growth process of a single crystal ingot is carried out, and thereby the deviation in diameter of a growing single crystal ingot can be reduced.
(FR)L'invention concerne un mode de réalisation qui concerne un système permettant de commander l'écart de diamètre d'un lingot de silicium lors de la croissance d'un lingot de silicium à l'aide de la méthode de croissance Czochralski, et le système peut comprendre : un mandrin à germe pour supporter un lingot de silicium qui est en train de croître et combiné avec un germe, également connu sous le nom cristal germe; une unité de mesure pour mesurer la charge appliquée sur le mandrin à germe en étant reliée à la surface supérieure du mandrin à germe par l'intermédiaire d'un câble; une unité de commande de charge pour changer la charge appliquée à un lingot de silicium en déplaçant l'emplacement du mandrin à germe en direction des parties supérieure ou inférieure dans un état dans lequel le mandrin à germe est relié à un câble; et une unité de commande pour commander la charge appliquée sur le lingot de silicium par l'entraînement de l'unité de commande de charge conformément à une valeur de charge mesurée au niveau de l'unité de mesure. Par conséquent, la vibration du germe est empêchée pendant l'exécution du processus de croissance d'un lingot monocristallin, et de ce fait l'écart de diamètre d'un lingot monocristallin en cours de croissance peut être réduit.
(KO)본 발명의 실시예는 초크랄스키법에 의한 실리콘 잉곳의 성장시 실리콘 잉곳의 직경 편차를 제어하는 시스템으로서, 종결정인 시드와 결합되며 성장되는 실리콘 잉곳을 지지하는 시드척; 상기 시드척 상면과 케이블로 연결되어 상기 시드척에 가해지는 부하를 측정하는 측정부; 상기 시드척이 케이블과 연결된 상태에서 상기 시드척의 위치를 상하부로 이동시켜 실리콘 잉곳에 가해지는 부하를 변경하는 부하 조절부; 및 상기 측정부에서 측정된 부하값에 따라 상기 부하 조절부를 구동시켜 실리콘 잉곳에 가해지는 부하를 제어하는 제어부를 포함할 수 있다. 따라서, 단결정 잉곳의 성장 공정을 진행하는 도중 시드의 흔들림이 방지되어, 성장하는 단결정 잉곳의 직경 편차를 감소시킬 수 있다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)