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1. (WO2016117724) DÉTECTEUR TÉRAHERTZ UTILISANT UN TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/117724    N° de la demande internationale :    PCT/KR2015/000692
Date de publication : 28.07.2016 Date de dépôt international : 23.01.2015
CIB :
G01R 33/00 (2006.01)
Déposants : UNIST (ULSAN NATIONAL INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY) [KR/KR]; 50, UNIST-gil, Eonyang-eup Ulju-gun Ulsan 44919 (KR)
Inventeurs : KIM, Kyung-Rok; (KR).
RYU, Min-Woo; (KR).
KIM, Kwan-Sung; (KR)
Mandataire : MUHANN PATENT & LAW FIRM; (KR)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) TERAHERTZ DETECTOR USING FIELD-EFFECT TRANSISTOR
(FR) DÉTECTEUR TÉRAHERTZ UTILISANT UN TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP
(KO) 전계효과트랜지스터를 이용한 테라헤르츠 검출기
Abrégé : front page image
(EN)The purpose of the present invention is to provide a terahertz detector using a field-effect transistor capable of implementing high sensitivity by exhibiting an asymmetric characteristic only with a form of a source/drain and a gate. To this end, the present invention relates to the terahertz detector using a field-effect transistor comprising: a source formed by being doped on a portion of a silicon base; a channel formed so as to encompass the source on a plane; a drain formed outside the channel; a dielectric layer formed on an upper end of the source, the channel and the drain; and a gate located at an upper end of the dielectric layer, wherein when terahertz electromagnetic waves are applied through the gate, the intensity of the electromagnetic waves is detected using a current/voltage outputted from the source and the drain.
(FR)La présente invention a pour but de fournir un détecteur térahertz utilisant un transistor à effet de champ pouvant obtenir une sensibilité élevée en présentant une caractéristique asymétrique uniquement pour un type de source/drain et de grille. Pour atteindre ce but, la présente invention concerne un détecteur térahertz utilisant un transistor à effet de champ et comprenant : une source formée en étant dopée sur une partie d'une base de silicium ; un canal formé de manière à entourer la source sur un plan ; un drain formé à l'extérieur du canal ; une couche diélectrique formée sur une extrémité supérieure de la source, du canal et du drain ; une grille située au niveau d'une extrémité supérieure de la couche diélectrique, lorsque des ondes électromagnétiques térahertz sont appliquées par la grille, l'intensité des ondes électromagnétiques étant détectée à l'aide d'un courant ou d’une tension émise par la source et le drain.
(KO)본 발명은 소스/드레인 및 게이트 자체의 형상만으로 비대칭 특성을 나타내어 높은 감도를 구현할 수 있는 전계효과트랜지스터를 이용한 테라헤르츠 검출기를 제공하는 것을 그 목적으로 한다. 상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 전계효과트랜지스터를 이용한 테라헤르츠 검출기에 있어서, 상기 전계효과트랜지스터는: 실리콘 베이스 일부에 도핑에 의하여 형성되는 소스; 평면 상으로 상기 소스를 감싸는 형태로 형성되는 채널; 상기 채널 외부에 형성되는 드레인; 상기 소스, 채널 및 드레인 상단에 형성되는 유전층; 및 상기 유전층 상단에 위치하는 게이트;를 포함하여 구성되며, 상기 게이트를 통하여 테라헤르츠 전자기파가 인가되는 경우 상기 소스와 드레인에서 출력되는 전류/전압으로 전자기파의 정도를 감지하는 것을 특징으로 한다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)