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1. (WO2016117633) NANOTUBE DE CARBONE À COUCHE UNIQUE, SEMI-CONDUCTEUR, ÉMETTANT DE LA LUMIÈRE DANS L'INFRAROUGE PROCHE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/117633    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/051660
Date de publication : 28.07.2016 Date de dépôt international : 21.01.2016
CIB :
C01B 31/02 (2006.01), B82Y 20/00 (2011.01), B82Y 30/00 (2011.01), B82Y 40/00 (2011.01)
Déposants : NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP/JP]; 3-1, Kasumigaseki 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008921 (JP)
Inventeurs : IIZUMI Yoko; (JP).
OKAZAKI Toshiya; (JP).
SAKAKITA Hajime; (JP).
KIM Jaeho; (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-011582 23.01.2015 JP
Titre (EN) NEAR-INFRARED LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR SINGLE-LAYER CARBON NANOTUBE
(FR) NANOTUBE DE CARBONE À COUCHE UNIQUE, SEMI-CONDUCTEUR, ÉMETTANT DE LA LUMIÈRE DANS L'INFRAROUGE PROCHE
(JA) 近赤外発光する半導体単層カーボンナノチューブ
Abrégé : front page image
(EN)The present invention addresses the problem of providing semiconductor single-layer carbon nanotubes in which the light emission energy thereof is lowered by approximately 300 meV, and a method for manufacturing the same. In the present invention, by applying a method for directly irradiating semiconductor single-layer carbon nanotubes with ultraviolet light in atmospheric air, ozone is generated in the atmosphere, a gram amount of oxygen atoms is introduced to the semiconductor single-layer carbon nanotubes, and semiconductor single-layer carbon nanotubes in which the light emission energy thereof is lowered by approximately 300 meV.
(FR)Le problème de la présente invention concerne des nanotubes de carbone à couche unique, semi-conducteurs, dans lesquels l'énergie d'émission de lumière correspondante est abaissée d'environ 300 meV, et leur procédé de fabrication. Dans la présente invention, par l'application d'un procédé pour irradier directement des nanotubes de carbone à couche unique, semi-conducteurs, par de la lumière ultraviolette dans une atmosphère d'air, de l'ozone est généré dans l'atmosphère, une quantité de gramme d'atomes d'oxygène est introduite dans les nanotubes de carbone à couche unique, semi-conducteurs, et on obtient des nanotubes de carbone à couche unique, semi-conducteurs, dans lesquels l'énergie d'émission de lumière correspondante est abaissée d'environ 300 meV.
(JA) 発光エネルギーが約300meV低エネルギー化した半導体単層カーボンナノチューブおよびその製造方法を提供することを課題とし、大気中で半導体単層カーボンナノチューブに直接紫外光を照射する方法を採用することにより、大気中にオゾンを発生させて半導体単層カーボンナノチューブにグラム量の酸素原子を導入させ、発光エネルギーが約300meV低エネルギー化した半導体単層カーボンナノチューブを得る。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)