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1. (WO2016117628) DISPOSITIF À FAISCEAU DE PARTICULES CHARGÉES, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE COMPOSANT POUR DISPOSITIF À FAISCEAU DE PARTICULES CHARGÉES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/117628    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/051631
Date de publication : 28.07.2016 Date de dépôt international : 21.01.2016
CIB :
H01J 37/16 (2006.01), H01J 37/065 (2006.01), H01J 37/12 (2006.01), H01J 37/147 (2006.01), H01J 37/15 (2006.01)
Déposants : HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION [JP/JP]; 24-14, Nishi Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058717 (JP)
Inventeurs : ICHIMURA Takashi; (JP).
ITO Hiroyuki; (JP).
KATO Shinichi; (JP).
MURAKOSHI Hisaya; (JP).
FUJIEDA Tadashi; (JP).
MIYAKE Tatsuya; (JP).
NAITOU Takashi; (JP).
AOYAGI Takuya; (JP).
TANIMOTO Kenji; (JP)
Mandataire : TODA Yuji; (JP)
Données relatives à la priorité :
PCT/JP2015/051750 23.01.2015 JP
Titre (EN) CHARGED PARTICLE BEAM DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING COMPONENT FOR CHARGED PARTICLE BEAM DEVICE
(FR) DISPOSITIF À FAISCEAU DE PARTICULES CHARGÉES, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE COMPOSANT POUR DISPOSITIF À FAISCEAU DE PARTICULES CHARGÉES
(JA) 荷電粒子線装置、及び荷電粒子線装置用部材の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)The purpose of the present invention is to provide a charged particle beam device that exhibits high performance due to the use of vanadium glass coatings, and to provide a method of manufacturing a component for a charged particle beam device. Specifically provided is a charged particle beam device using a vacuum component characterized by comprising a metal container, the interior space of which is evacuated to form a high vacuum, and coating layers (161, 162, 163) formed on the surface on the interior space-side of the metal container, wherein the coating layers (161, 162, 163) are vanadium-containing glass, which is to say an amorphous substance. Coating vanadium glass onto walls of a space where it is desirable to form a high vacuum, for example walls in the vicinity of an electron source, reduces gas discharge in the vicinity of the electron source, and the getter effect of the coating layer induces localized evacuation and enables the formation of an extremely high vacuum, even in spaces having a complex structure, without providing a large high-vacuum pump.
(FR)La présente invention concerne un dispositif à faisceau de particules chargées qui présente une performance élevée grâce à l'utilisation de revêtements de verre au vanadium. L'invention concerne en outre un procédé de fabrication d'un composant pour un dispositif à faisceau de particules chargées. Plus spécifiquement, l'invention concerne un dispositif à faisceau de particules chargées mettant en œuvre un composant sous vide caractérisé en ce qu'il comprend un récipient métallique, dont l'espace interne est évacué afin de former un vide poussé, et des couches de revêtement (161, 162, 163) formées sur la surface côté espace interne du récipient métallique. Lesdites couches de revêtement (161, 162, 163) sont en verre contenant du vanadium, c'est-à-dire une substance amorphe. Le dépôt de verre au vanadium sur des parois d'un espace où il est souhaitable de former un vide poussé, par exemple des parois dans le voisinage d'une source d'électrons, réduit les décharges de gaz dans le voisinage de la source d'électrons, et l'effet getter de la couche de revêtement induit l'évacuation localisée et permet la formation d'un vide extrêmement poussé, même dans des espaces présentant une structure complexe, sans qu'il soit nécessaire d'utiliser une pompe à vide poussé volumineuse.
(JA)バナジウムガラスコートに基づく荷電粒子線装置の高性能化を実現する荷電粒子線装置、及び荷電粒子線装置用部材の製造方法を達成することを目的とする。内部空間が高真空に排気される金属容器と、前記金属容器の前記内部空間側の表面に形成されたコート層(161、162、163)とを備え、前記コート層(161、162、163)はバナジウムを含むガラス、つまり、非晶質であることを特徴とする真空部材を用いた荷電粒子線装置により達成する。高真空にしたい空間、例えば、電子源周辺部の壁にバナジウムガラスをコートすることで、電子源周辺部でのガス放出量を低減し、コート層でのゲッター効果により、局所排気を実施し、構造が複雑な空間でも大型の高真空ポンプを付けること無く、極高真空を達成する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)