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1. (WO2016117604) ÉLÉMENT À CRISTAUX LIQUIDES, ÉLÉMENT DE DÉVIATION, MODULE À CRISTAUX LIQUIDES, ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/117604    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/051574
Date de publication : 28.07.2016 Date de dépôt international : 20.01.2016
CIB :
G02F 1/13 (2006.01), G02B 3/14 (2006.01), G02F 1/29 (2006.01), G03B 5/00 (2006.01)
Déposants : OSAKA UNIVERSITY [JP/JP]; 1-1, Yamadaoka, Suita-shi, Osaka 5650871 (JP) (AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BH, BJ, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CL, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GT, GW, HN, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IR, IS, IT, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MC, MD, ME, MG, MK, ML, MN, MR, MT, MW, MX, MY, MZ, NA, NE, NG, NI, NL, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SM, SN, ST, SV, SY, SZ, TD, TG, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW only).
SHIBUYA Giichi [JP/JP]; (JP) (KR only)
Inventeurs : SHIBUYA Giichi; (JP).
YOSHIDA Hiroyuki; (JP).
OZAKI Masanori; (JP)
Mandataire : MAEI Hiroyuki; (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-011112 23.01.2015 JP
Titre (EN) LIQUID CRYSTAL ELEMENT, DEFLECTION ELEMENT, LIQUID CRYSTAL MODULE, AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) ÉLÉMENT À CRISTAUX LIQUIDES, ÉLÉMENT DE DÉVIATION, MODULE À CRISTAUX LIQUIDES, ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 液晶素子、偏向素子、液晶モジュール、及び電子機器
Abrégé : front page image
(EN)A liquid crystal element (100) refracts and emits light. The liquid crystal element (100) is provided with a first electrode (1) to which a first voltage (V1) is applied, a second electrode (2) to which a second voltage (V2) different from the first voltage (V1) is applied, an insulating layer (21) which is an electrical insulator, a high-resistance layer (22), a liquid crystal layer (23) including liquid crystals, and a third electrode (3) to which a third voltage (V3) is applied. The insulating layer (21) is arranged between the first electrode (1) and second electrode (2) and the high-resistance layer (22), and insulates the first electrode (1) and second electrode (2) and the high-resistance layer (22) from each other. The electrical resistivity of the high-resistance layer (22) is greater than the electrical resistivity of the first electrode (1) and the electrical resistivity of the second electrode (2), and is less than the electrical resistivity of the insulating layer (21). The high-resistance layer (22) and the liquid crystal layer (23) are arranged between the insulating layer (21) and the third electrode (3). The high-resistance layer (22) is arranged between the insulating layer (21) and the liquid crystal layer (23).
(FR)L'invention concerne un élément à cristaux liquides (100) qui réfracte et émet de la lumière. L'élément à cristaux liquides (100) comprend une première électrode (1) sur laquelle une première tension (V1) est appliquée, une deuxième électrode (2) sur laquelle une deuxième tension (V2) différente de la première tension (V1) est appliquée, une couche isolante (21) qui est un isolant électrique, une couche à résistance élevée (22), une couche de cristaux liquides (23) comprenant des cristaux liquides, et une troisième électrode (3) sur laquelle une troisième tension (V3) est appliquée. La couche isolante (21) est agencée entre la première électrode (1) et deuxième électrode (2) et la couche à haute résistance (22), et isole la première électrode (1) et la deuxième électrode (2) et la couche à haute résistance (22) les unes des autres. La résistivité électrique de la couche à haute résistance (22) est supérieure à la résistivité électrique de la première électrode (1) et à la résistivité électrique de la deuxième électrode (2), et est inférieure à la résistivité électrique de la couche isolante (21). La couche à haute résistance (22) et la couche de cristaux liquides (23) sont agencées entre la couche isolante (21) et la troisième électrode (3). La couche à haute résistance (22) est agencée entre la couche isolante (21) et la couche de cristaux liquides (23).
(JA)液晶素子(100)は、光を屈折させて出射する。液晶素子(100)は、第1電圧(V1)が印加される第1電極(1)と、第1電圧(V1)と異なる第2電圧(V2)が印加される第2電極(2)と、電気絶縁体である絶縁層(21)と、高抵抗層(22)と、液晶を含む液晶層(23)と、第3電圧(V3)が印加される第3電極(3)とを備える。絶縁層(21)は、第1電極(1)と第2電極(2)と高抵抗層(22)との間に配置され、第1電極(1)と第2電極(2)と高抵抗層(22)とを互いに絶縁する。高抵抗層(22)の電気抵抗率は、第1電極(1)の電気抵抗率及び第2電極2の電気抵抗率の各々より大きく、絶縁層(21)の電気抵抗率より小さい。高抵抗層(22)と液晶層(23)とは、絶縁層(21)と第3電極(3)との間に配置される。高抵抗層(22)は、絶縁層(21)と液晶層(23)との間に配置される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)