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1. (WO2016117598) ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/117598    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/051563
Date de publication : 28.07.2016 Date de dépôt international : 20.01.2016
CIB :
H01G 9/20 (2006.01)
Déposants : SEKISUI CHEMICAL CO., LTD. [JP/JP]; 4-4, Nishitemma 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5308565 (JP)
Inventeurs : TOKITA Daisuke; (JP).
KUNUGI Shunsuke; (JP)
Mandataire : SAEKI Yoshifumi; (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-008497 20.01.2015 JP
Titre (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
(JA) 光電変換素子及び光電変換素子の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A photoelectric conversion element provided with: a first electrode having a first substrate, an electroconductive film formed on the first substrate, a conductive material arranged on the surface of the electroconductive film so that conduction with the electroconductive film is possible, the surface of the conductive material being coated by a protective film, and a semiconductor porous film formed on the electroconductive film; and a second electrode having a second substrate and a counter electroconductive film formed on the second substrate. The first electrode and the second electrode are arranged such that the electroconductive film and the counter electroconductive film face each other.
(FR)L'invention concerne un élément de conversion photoélectrique comprenant : une première électrode ayant un premier substrat, un film électriquement conducteur formé sur le premier substrat, un matériau conducteur disposé sur la surface du film électriquement conducteur de sorte que la conduction avec le film électriquement conducteur soit possible, la surface du matériau conducteur étant revêtue par un film de protection, et un film poreux semiconducteur formé sur le film électriquement conducteur ; et une deuxième électrode ayant un deuxième substrat et un film électriquement conducteur homologue formé sur le deuxième substrat. La première électrode et la deuxième électrode sont disposées de telle sorte que le film électriquement conducteur et le film électriquement conducteur homologue se trouvent en face l'un de l'autre.
(JA) 第1基板と、この第1基板上に成膜された導電膜と、前記導電膜の表面に前記導電膜と導通可能に配され、保護膜で表面が被覆された導通材と、前記導電膜上に成膜された半導体多孔質膜とを有した第1電極、及び第2基板と、この第2基板上に成膜された対向導電膜とを有する第2電極を備え、前記第1電極と前記第2電極は、前記導電膜と前記対向導電膜とが対向するように配置された光電変換素子。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)