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Paramétrages

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1. WO2016117559 - COMPOSITION DE POLISSAGE

Numéro de publication WO/2016/117559
Date de publication 28.07.2016
N° de la demande internationale PCT/JP2016/051440
Date du dépôt international 19.01.2016
CIB
C09K 3/14 2006.1
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
09COLORANTS; PEINTURES; PRODUITS À POLIR; RÉSINES NATURELLES; ADHÉSIFS; COMPOSITIONS NON PRÉVUES AILLEURS; UTILISATIONS DE SUBSTANCES, NON PRÉVUES AILLEURS
KSUBSTANCES POUR DES APPLICATIONS NON PRÉVUES AILLEURS; APPLICATIONS DE SUBSTANCES NON PRÉVUES AILLEURS
3Substances non couvertes ailleurs
14Substances antidérapantes; Abrasifs
B24B 37/00 2012.1
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
24MEULAGE; POLISSAGE
BMACHINES, DISPOSITIFS OU PROCÉDÉS POUR MEULER OU POUR POLIR; DRESSAGE OU REMISE EN ÉTAT DES SURFACES ABRASIVES; ALIMENTATION DES MACHINES EN MATÉRIAUX DE MEULAGE, DE POLISSAGE OU DE RODAGE
37Machines ou dispositifs de rodage; Accessoires
H01L 21/304 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
304Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
CPC
B24B 37/044
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
24GRINDING; POLISHING
BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING
37Lapping machines or devices; Accessories
04designed for working plane surfaces
042operating processes therefor
044characterised by the composition of the lapping agent
C09G 1/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
GPOLISHING COMPOSITIONS
1Polishing compositions
02containing abrasives or grinding agents
C09K 3/1409
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
3Materials not provided for elsewhere
14Anti-slip materials; Abrasives
1409Abrasive particles per se
C09K 3/1436
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
3Materials not provided for elsewhere
14Anti-slip materials; Abrasives
1436Composite particles, e.g. coated particles
C09K 3/1463
CCHEMISTRY; METALLURGY
09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
3Materials not provided for elsewhere
14Anti-slip materials; Abrasives
1454Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
1463Aqueous liquid suspensions
H01L 21/31053
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
3105After-treatment
31051Planarisation of the insulating layers
31053involving a dielectric removal step
Déposants
  • 株式会社フジミインコーポレーテッド FUJIMI INCORPORATED [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 芦▲高▼ 圭史 ASHITAKA, Keiji
  • 坪田 翔吾 TSUBOTA, Shogo
Mandataires
  • 八田国際特許業務法人 HATTA & ASSOCIATES
Données relatives à la priorité
2015-00805219.01.2015JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) POLISHING COMPOSITION
(FR) COMPOSITION DE POLISSAGE
(JA) 研磨用組成物
Abrégé
(EN)
A polishing composition derived from a sulfonic acid-modified aqueous anionic sol produced by a production method including: a first reaction step in which water and sulfonic acid-modified colloidal silica obtained by immobilizing sulfonic acid on the surfaces of silica particles are included in a polishing composition having a pH level of 6 or lower, the sulfonic acid-modified colloidal silica being the reaction product obtained by heating, in the presence of a silane coupling agent having a functional group that can be chemically converted into a sulfonic acid group, a starting material colloidal silica in which the number distribution ratio of microparticles having a particle size of 40% or less relative to the volume-average particle diameter based on the Heywood diameter (equivalent circle diameter) as determined by image analysis using a scanning electron microscope is 10% or less; and a second reaction step in which the functional group is converted to a sulfonic acid group by treating the reaction product. When the product is used as abrasive particles in a sulfonic acid-modified aqueous anionic sol to form a polishing composition for polishing a substance to be polished that includes SiN, it is possible to improve the stability of the SiN polishing rate over time and reduce the hydrogen peroxide content.
(FR)
L’invention concerne une composition de polissage dérivée d'un sol anionique aqueux modifié par de l'acide sulfonique produit selon un procédé de production comprenant : une première étape de réaction dans laquelle de l'eau et une silice colloïdale modifiée par de l'acide sulfonique obtenue par immobilisation d'acide sulfonique sur les surfaces de particules de silice sont incluses dans une composition de polissage ayant un pH de 6 ou moins, la silice colloïdale modifiée par de l'acide sulfonique étant le produit de réaction obtenu en chauffant, en présence d'un agent de couplage silane ayant un groupe fonctionnel qui peut être converti chimiquement en un groupe acide sulfonique, une silice colloïdale matériau de départ dans laquelle le rapport de distribution en nombre des microparticules ayant une taille de particule de 40 % ou moins par rapport au diamètre moyen en volume des particules fondé sur le diamètre Heywood (diamètre de cercle équivalent) tel que déterminé par une analyse d'image à l'aide d'un microscope électronique à balayage est de 10 % ou moins ; et une deuxième étape de réaction dans laquelle le groupe fonctionnel est converti en un groupe acide sulfonique par traitement du produit de réaction. Lorsque le produit est utilisé en tant que particules abrasives dans un sol anionique aqueux modifié par de l'acide sulfonique pour former une composition de polissage afin de polir une substance à polir qui comprend du SiN, il est possible d'améliorer la stabilité du taux de polissage du SiN dans le temps et de réduire la teneur en peroxyde d'hydrogène.
(JA)
pH6以下の研磨用組成物に、シリカ粒子の表面にスルホン酸が固定化されてなるスルホン酸修飾コロイダルシリカと、水とを含有させ、この際、前記スルホン酸修飾コロイダルシリカとして、走査型電子顕微鏡を用いた画像解析によるHeywood径(円相当径)に基づく体積平均粒子径の40%以下の粒径を有する微小粒子の個数分布割合が10%以下である原料コロイダルシリカを、化学的にスルホン酸基に変換できる官能基を有するシランカップリング剤の存在下で加熱して反応物を得る第1反応工程と、前記反応物を処理することにより前記官能基をスルホン酸基へと変換する第2反応工程とを含む製造方法によって製造されたスルホン酸修飾水性アニオンシリカゾル由来のものを用いる。SiNを含む研磨対象物を研磨するための研磨用組成物において砥粒として用いられた場合にSiN研磨レートの経時的な安定性を向上させ、かつ、過酸化水素の含有量も低減させうる。
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