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1. (WO2016117485) PROCÉDÉ DE SIMULATION DE POLISSAGE POUR PROCESSUS DE POLISSAGE ET DISPOSITIF DE POLISSAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/117485    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/051206
Date de publication : 28.07.2016 Date de dépôt international : 18.01.2016
CIB :
B24B 37/34 (2012.01), B24B 37/10 (2012.01), H01L 21/304 (2006.01)
Déposants : EBARA CORPORATION [JP/JP]; 11-1, Haneda Asahi-cho, Ohta-ku, Tokyo 1448510 (JP)
Inventeurs : YAMAGUCHI, Kuniaki; (JP).
KOBATA, Itsuki; (JP).
MIZUNO, Toshio; (JP)
Mandataire : ONO, Shinjiro; (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-007699 19.01.2015 JP
Titre (EN) POLISHING-AMOUNT SIMULATION METHOD FOR BUFFING PROCESS, AND BUFFING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE SIMULATION DE POLISSAGE POUR PROCESSUS DE POLISSAGE ET DISPOSITIF DE POLISSAGE
(JA) バフ研磨処理における研磨量のシミュレーション方法およびバフ研磨装置
Abrégé : front page image
(EN)One problem addressed by the invention of the present application is to perform a buffing-amount simulation that considers the pressure concentration that is generated in the vicinity of the edge of a substrate to be polished when a small-diameter buffing pad overhangs the substrate. One embodiment of the invention of the present application provides a method for simulating polishing amount for situations in which a polishing pad that is smaller than a polishing target is used to buff the polishing target. The simulation method has: a step for using a pressure sensor to measure the pressure distribution applied to the polishing target by the polishing pad in accordance with the amount that the polishing pad overhangs the polishing target; and a step for correcting the pressure used in the polishing-amount simulation on the basis of the overhang amount and the measured pressure distribution.
(FR)La présente invention a pour but d'effectuer une simulation de quantité de polissage qui considère la concentration de pression qui est générée à proximité du bord d'un substrat à polir quand un tampon de polissage de petit diamètre est en porte-à-faux par rapport au substrat. Pour atteindre ce but, un mode de réalisation de la présente invention concerne un procédé qui permet de simuler une quantité de polissage pour des situations dans lesquelles un tampon de polissage qui est plus petit qu'une cible de polissage est utilisé pour polir la cible de polissage. Le procédé de simulation comprend les étapes suivantes : l'utilisation d'un capteur de pression pour mesurer la répartition de la pression appliquée à la cible de polissage par le tampon de polissage en fonction de la quantité de porte-à-faux du tampon de polissage par rapport à la cible de polissage ; la correction de la pression utilisée dans la simulation de quantité de polissage sur la base de la quantité de porte-à-faux et de la répartition de pression mesurée.
(JA) 本願発明は、小径のバフパッドが被研磨基板からオーバーハングした時に基板のエッジ付近に生じる圧力集中を考慮してバフ研磨量のシミュレーションを行うことを1つの課題としている。 本発明の一実施形態によれば、研磨対象物よりも寸法の小さな研磨パッドを使用して研磨対象物をバフ研磨する場合の研磨量をシミュレーションする方法が提供され、かかるシミュレーション方法は、研磨対象物に対する研磨パッドのオーバーハング量に応じた、前記研磨パッドから研磨対象物に付与される圧力分布を、圧力センサを用いて測定するステップと、研磨量のシミュレーションに用いられる圧力を、オーバーハング量および測定された圧力分布に基づいて補正するステップ、を有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)