Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. WO2016117483 - PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À ONDES ÉLASTIQUES ET DISPOSITIF À ONDES ÉLASTIQUES

Numéro de publication WO/2016/117483
Date de publication 28.07.2016
N° de la demande internationale PCT/JP2016/051203
Date du dépôt international 18.01.2016
CIB
H03H 3/08 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
HRÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
3Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de réseaux d'impédance, de circuits résonnants, de résonateurs
007pour la fabrication de résonateurs ou de réseaux électromécaniques
08pour la fabrication de résonateurs ou de réseaux utilisant des ondes acoustiques de surface
H03H 9/145 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
HRÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
9Réseaux comprenant des éléments électromécaniques ou électro-acoustiques; Résonateurs électromécaniques
02Détails
125Moyens d'excitation, p.ex. électrodes, bobines
145pour réseaux utilisant des ondes acoustiques de surface
H03H 9/64 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
HRÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
9Réseaux comprenant des éléments électromécaniques ou électro-acoustiques; Résonateurs électromécaniques
46Filtres
64utilisant des ondes acoustiques de surface
H03H 9/72 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
HRÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
9Réseaux comprenant des éléments électromécaniques ou électro-acoustiques; Résonateurs électromécaniques
70Réseaux à plusieurs accès pour connecter plusieurs sources ou charges, fonctionnant sur des fréquences ou dans des bandes de fréquence différentes, à une charge ou à une source commune
72Réseaux utilisant des ondes acoustiques de surface
CPC
H03H 3/08
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
3Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
007for the manufacture of electromechanical resonators or networks
08for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
H03H 9/0222
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
02Details
0222of interface-acoustic, boundary, pseudo-acoustic or Stonely wave devices
H03H 9/02228
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
02Details
02228Guided bulk acoustic wave devices or Lamb wave devices having interdigital transducers situated in parallel planes on either side of a piezoelectric layer
H03H 9/145
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
02Details
125Driving means, e.g. electrodes, coils
145for networks using surface acoustic waves
H03H 9/14541
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
02Details
125Driving means, e.g. electrodes, coils
145for networks using surface acoustic waves
14538Formation
14541Multilayer finger or busbar electrode
H03H 9/64
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
46Filters
64using surface acoustic waves
Déposants
  • 株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP]/[JP]
Inventeurs
  • 岩本敬 IWAMOTO, Takashi
Mandataires
  • 特許業務法人 楓国際特許事務所 KAEDE PATENT ATTORNEYS' OFFICE
Données relatives à la priorité
2015-01021322.01.2015JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR MANUFACTURING ELASTIC WAVE DEVICE, AND ELASTIC WAVE DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À ONDES ÉLASTIQUES ET DISPOSITIF À ONDES ÉLASTIQUES
(JA) 弾性波装置の製造方法、および弾性波装置
Abrégé
(EN)
A method for manufacturing an elastic wave device has: a step for layering a plurality of films comprising an electroconductive material sequentially on a piezoelectric substrate on which a first resist pattern is formed; a step for removing the first resist from the piezoelectric substrate on which the plurality of films were layered; a step for applying a second resist to the piezoelectric substrate from which the first resist was removed, and performing exposure and developing relative to the second resist, whereby a protective layer is formed for protecting a first region with the second resist; and a step for etching a second electroconductive material, the first region being protected by the protective layer.
(FR)
La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à ondes élastiques qui comprend les étapes suivantes : la stratification d'une pluralité de films comportant un matériau conducteur de l'électricité de manière séquentielle sur un substrat piézoélectrique sur lequel un premier motif de résine photosensible est formé; l'élimination de la première résine photosensible sur le substrat piézoélectrique sur lequel la pluralité de films ont été stratifiés; l'application d'une seconde résine photosensible sur le substrat piézoélectrique duquel la première résine photosensible a été éliminée, et l'exécution d'une exposition et d'un développement relativement à la seconde résine photosensible, moyennant quoi une couche de protection est formée pour protéger une première zone avec la seconde résine photosensible; la gravure d'un second matériau conducteur de l'électricité, la première zone étant protégée par la couche de protection.
(JA)
 弾性波装置の製造方法は、第1レジストのパターンが形成された圧電基板上に、導電材料からなる複数の膜を順に積層する工程と、複数の膜が積層された圧電基板から第1レジストを除去する工程と、第1レジストが除去された圧電基板に第2レジストを塗布し、第2レジストに対し露光及び現像することで、第1領域を第2レジストで保護する保護層を形成する工程と、第1領域が保護層で保護された状態で、第2導電材料をエッチングする工程と、を有する。
Également publié en tant que
CN201680004198.8
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international