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1. (WO2016117359) PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN ÉLÉMENT DE JONCTION À EFFET TUNNEL MAGNÉTIQUE DE TYPE À MAGNÉTISATION PERPENDICULAIRE ET APPAREIL DE PRODUCTION D'ÉLÉMENT DE JONCTION À EFFET TUNNEL MAGNÉTIQUE DE TYPE À MAGNÉTISATION PERPENDICULAIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/117359    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/050265
Date de publication : 28.07.2016 Date de dépôt international : 06.01.2016
CIB :
H01L 43/12 (2006.01), C23C 14/58 (2006.01), H01F 10/16 (2006.01), H01F 10/26 (2006.01), H01F 41/18 (2006.01), H01L 21/8246 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01), H01L 43/08 (2006.01), H01L 43/10 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1 Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP)
Inventeurs : KITADA Toru; (JP).
NAKAMURA Kanto; (JP).
GOMI Atsushi; (JP).
FURUKAWA Shinji; (JP).
SUZUKI Yusuke; (US)
Mandataire : HASEGAWA Yoshiki; (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-008528 20.01.2015 JP
Titre (EN) METHOD FOR FORMING PERPENDICULAR MAGNETIZATION TYPE MAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT AND APPARATUS FOR PRODUCING PERPENDICULAR MAGNETIZATION TYPE MAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN ÉLÉMENT DE JONCTION À EFFET TUNNEL MAGNÉTIQUE DE TYPE À MAGNÉTISATION PERPENDICULAIRE ET APPAREIL DE PRODUCTION D'ÉLÉMENT DE JONCTION À EFFET TUNNEL MAGNÉTIQUE DE TYPE À MAGNÉTISATION PERPENDICULAIRE
(JA) 垂直磁化型磁気トンネル接合素子を形成する方法、及び垂直磁化型磁気トンネル接合素子の製造装置
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a method for forming a perpendicular magnetization type magnetic tunnel junction element. This method comprises: a step for forming a tunnel barrier layer on a first magnetic layer of a body to be processed; a step for cooling the body to be processed, on which the tunnel barrier layer has been formed; and a step for forming a second magnetic layer on the tunnel barrier layer after the cooling step.
(FR)La présente invention concerne un procédé de formation d'un élément de jonction à effet tunnel magnétique de type à magnétisation perpendiculaire. Ledit procédé comprend : une étape consistant à former une couche barrière à effet tunnel sur une première couche magnétique d'un corps à traiter ; une étape consistant à refroidir le corps à traiter, sur lequel la couche barrière à effet tunnel a été formée ; et une étape consistant à former une seconde couche magnétique sur la couche barrière à effet tunnel après l'étape de refroidissement.
(JA) 垂直磁化型磁気トンネル接合素子を形成する方法が提供される。この方法は、被処理体の第1磁性層上にトンネルバリア層を形成する工程と、トンネルバリア層が形成された被処理体を冷却する工程と、冷却する工程の後に、トンネルバリア層上に第2磁性層を形成する工程と、を含む。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)