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1. (WO2016117251) APPAREIL DE CROISSANCE CRISTALLINE, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE MONOCRISTAL DE CARBURE DE SILICIUM, SUBSTRAT MONOCRISTALLIN DE CARBURE DE SILICIUM ET SUBSTRAT ÉPITAXIAL DE CARBURE DE SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/117251    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/085350
Date de publication : 28.07.2016 Date de dépôt international : 17.12.2015
CIB :
C30B 29/36 (2006.01), C23C 14/06 (2006.01), C23C 14/24 (2006.01), C23C 16/42 (2006.01), C23C 16/44 (2006.01), C30B 23/06 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01)
Déposants : SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP)
Inventeurs : HARADA, Shin; (JP).
HORI, Tsutomu; (JP).
SASAKI, Sho; (JP).
KISHIDA, Tetsuya; (JP)
Mandataire : FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-009432 21.01.2015 JP
PCT/JP2015/070519 17.07.2015 JP
Titre (EN) CRYSTAL GROWTH APPARATUS, METHOD FOR PRODUCING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL, SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND SILICON CARBIDE EPITAXIAL SUBSTRATE
(FR) APPAREIL DE CROISSANCE CRISTALLINE, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE MONOCRISTAL DE CARBURE DE SILICIUM, SUBSTRAT MONOCRISTALLIN DE CARBURE DE SILICIUM ET SUBSTRAT ÉPITAXIAL DE CARBURE DE SILICIUM
(JA) 結晶成長装置、炭化珪素単結晶の製造方法、炭化珪素単結晶基板および炭化珪素エピタキシャル基板
Abrégé : front page image
(EN)A crystal growth apparatus (50) is provided with: a chamber (20) which comprises a gas feed port (21), a gas discharge port (22), a welded part and a water cooling unit that is configured so as to be capable of water cooling a portion that includes at least the welded part; an exhaust pump (30) which is connected to the gas discharge port (22); and a dew-point meter (40) which is arranged between the gas discharge port (22) and the exhaust pump (30), and which is configured so as to be capable of measuring the dew point of a gas that has passed through the gas discharge port (22).
(FR)L'invention concerne un appareil de croissance cristalline, (50) pourvu : d'une chambre (20) qui comprend un orifice d'alimentation en gaz (21), un orifice de refoulement de gaz (22), une partie soudée et une unité de refroidissement à l'eau qui est conçue de manière à pouvoir refroidir à l'eau une partie qui comprend au moins la partie soudée ; une pompe d'épuisement (30) qui est reliée à l'orifice de refoulement de gaz (22) ; et un compteur de point de rosée (40) qui est disposé entre l'orifice de refoulement de gaz (22) et la pompe d'épuisement (30), et qui est conçu de manière à pouvoir mesurer le point de rosée d'un gaz qui est passé à travers l'orifice de refoulement de gaz (22).
(JA) 結晶成長装置(50)は、ガス導入口(21)、ガス排気口(22)、溶接部、および、少なくとも該溶接部を含む部分を水冷できるように構成されている水冷部を含む、チャンバ(20)と、ガス排気口(22)に接続されている排気ポンプ(30)と、ガス排気口(22)と排気ポンプ(30)との間に配置されており、かつガス排気口(22)を通過したガスの露点を測定できるように構成されている露点計(40)と、を備える。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)