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1. (WO2016117124) DISPOSITIF DE CAPTURE D'IMAGE ET ENDOSCOPE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/117124    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/051885
Date de publication : 28.07.2016 Date de dépôt international : 23.01.2015
CIB :
H01L 27/14 (2006.01), H01L 21/3205 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 23/12 (2006.01), H01L 23/522 (2006.01)
Déposants : OLYMPUS CORPORATION [JP/JP]; 43-2, Hatagaya 2-chome, Shibuya-ku, Tokyo 1510072 (JP)
Inventeurs : YOSHIDA Kazuhiro; (JP)
Mandataire : ITOH Susumu; (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) IMAGE-CAPTURING DEVICE AND ENDOSCOPE
(FR) DISPOSITIF DE CAPTURE D'IMAGE ET ENDOSCOPE
(JA) 撮像装置および内視鏡
Abrégé : front page image
(EN)An image-capturing device 1 is equipped with a silicon layer 10, a wiring layer 20 including an insulator having a lower dielectric constant than silicon oxide, a cover glass 40 for covering the light-receiving section 11 of the light-receiving surface 10SA of the silicon layer 10, and a silicon substrate 50 for covering the rear surface 20SB of the wiring layer 20. A guard ring 24 that follows an outer edge is formed in the wiring layer 20. A through-hole 10H having as a bottom surface an electrode pad 29 comprising the conductor of the wiring layer 20 is formed in a region of the silicon layer 10 that is not covered by the cover glass 40. The insulator of the wiring layer 20 is not exposed on the inner surface of the through-hole 10H.
(FR)La présente invention concerne un dispositif de capture d'image 1 doté d'une couche de silicium 10, d'une couche de câblage 20 comprenant un isolant présentant une constante diélectrique inférieure à celle de l'oxyde de silicium, d'un cache de verre 40 servant à recouvrir la section de réception de lumière 11 de la surface de réception de lumière 10SA de la couche de silicium 10, et d'un substrat 50 de silicium servant à recouvrir la surface arrière 20SB de la couche de câblage 20. Un anneau de garde 24 qui suit un bord extérieur est formé dans la couche de câblage 20. Un trou traversant 10H comportant, en tant que surface inférieure, une plage d'électrode 29 comprenant le conducteur de la couche de câblage 20 est formé dans une région de la couche de silicium 10 qui n'est pas recouverte par le cache de verre 40. L'isolant de la couche de câblage 20 n'est pas apparent sur la surface intérieure du trou traversant 10H.
(JA)撮像装置1は、シリコン層10と、酸化シリコンよりも低誘電率の絶縁体を含む配線層20と、シリコン層10の受光面10SAの受光部11を覆うカバーガラス40と、配線層20の裏面20SBを覆うシリコン基板50と、を具備し、配線層20に外縁に沿ったガードリング24が形成されており、シリコン層10のカバーガラス40で覆われていない領域に、配線層20の導体からなる電極パッド29を底面とする貫通孔10Hがあり、貫通孔10Hの内面に配線層20の絶縁体が露出していない。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)