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1. (WO2016117075) MODULE SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/117075    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/051655
Date de publication : 28.07.2016 Date de dépôt international : 22.01.2015
CIB :
H01L 23/28 (2006.01), H01L 25/07 (2006.01), H01L 25/18 (2006.01), H05K 3/28 (2006.01)
Déposants : SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 2-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP)
Inventeurs : MORINAGA, Yuji; (JP).
IKEDA, Kosuke; (JP).
MATSUZAKI, Osamu; (JP)
Mandataire : MATSUO, Nobutaka; (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SEMICONDUCTOR MODULE AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR MODULE
(FR) MODULE SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) 半導体モジュール及び半導体モジュールの製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor module 1 according to the present invention and equipped with a first substrate 10, a semiconductor element 20 obtained by joining a first electrode layer 21 to a first conductor layer 12, and a second substrate 30 obtained by joining a second conductor layer 32 to a second electrode layer 22, wherein: the first conductor layer 12 has a joining section 14 and a surrounding wall section 15 formed in a location surrounding the periphery of the joining section 14 when seen from a planar view, so as to be separated from or continuous with the joining section 14, and in a manner such that the top-end surface of the surrounding wall section 15 projects above from the joining section 14 surface; the first substrate 10 is joined to the second substrate 30 via the surrounding wall section 15; the surrounding wall section 15 surrounds the semiconductor module 1; and a resin section 40 is also formed in the semiconductor module 1 by filling the space between a first insulating plate 11 and a second insulating plate 31 with a resin. This semiconductor module 1 makes it possible to easily form a structure for resin-sealing.
(FR)Un module semi-conducteur (1) d'après la présente invention comprend : un premier substrat (10) ; un élément semi-conducteur (20) obtenu en assemblant une première couche d'électrode (21) à une première couche conductrice (12) ; et un second substrat (30) obtenu en assemblant une seconde couche conductrice (32) à une seconde couche d'électrode (22). La première couche conductrice (12) comprend une section d'assemblage (14) et une section de paroi d'entourage (15) formée en un emplacement entourant la périphérie de la section d'assemblage (14), telle qu'observée en vue en plan, d'une manière telle que ladite couche (12) est séparée ou continue par rapport à la section d'assemblage (14) et que la surface d'extrémité supérieure de la section de paroi d'entourage (15) fait saillie au-dessus de la surface de la section d'assemblage (14). Le premier substrat (10) est assemblé au second substrat (30) par l'intermédiaire de la section de paroi d'entourage (15). La section de paroi d'entourage (15) entoure le module semi-conducteur (1). Une section de résine (40) est également formée dans le module semi-conducteur (1) en remplissant de résine l'espace entre une première plaque isolante (11) et une seconde plaque isolante (31). Le module semi-conducteur (1) permet de former facilement une structure d'étanchéité en résine.
(JA) 本発明の半導体モジュール1は、第1基板10と、第1電極層21が第1導電体層12に接合された半導体素子20と、第2導電体層32が第2電極層22に接合された第2基板30とを備え、第1導電体層12は、接合部14と、平面的に見て接合部14の周囲を取り囲む位置に、かつ、接合部14と離間した状態又は連続した状態で形成され、かつ、上端面が接合面14よりも上に突出した状態で形成された囲繞壁部15とを有し、第1基板10は、囲繞壁部15を介して第2基板30と接しており、半導体モジュール1は、囲繞壁部15に取り囲まれ、かつ、第1絶縁性基11板及び第2絶縁性基板31に挟まれた空間に樹脂を充填することにより形成された樹脂部40をさらに備える。 本発明の半導体モジュール1によれば、樹脂封止するための構造を容易に形成することができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)