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1. (WO2016117072) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2016/117072    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/051648
Date de publication : 28.07.2016 Date de dépôt international : 22.01.2015
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    14.07.2016    
CIB :
H01L 21/56 (2006.01), H01L 21/60 (2006.01), H01L 21/822 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01)
Déposants : RENESAS ELECTRONICS CORPORATION [JP/JP]; 2-24, Toyosu 3-chome, Koutou-ku, Tokyo 1350061 (JP)
Inventeurs : IKEDA, Yuichiro; (JP).
KOTANI, Satoshi; (JP)
Mandataire : TSUTSUI & ASSOCIATES; Tsutsui & Associates, 3F Shinjuku Gyoen Bldg., 3-10, Shinjuku 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置およびその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device PKG has: a semiconductor chip CP; a lead LD3; a wire BW5 that electrically connects a pad electrode PD2 of the semiconductor chip CP and the lead LD3 to each other; a wire BW3 that electrically connects a pad electrode PD3 of the semiconductor chip CP and the lead LD3 to each other; and a sealing body that seals the semiconductor chip, the lead, the pad electrodes, and the wires with a resin. The semiconductor chip CP includes an internal circuit 5b, an internal circuit 5c, and a switch circuit section SW, and signals can be transmitted between the internal circuit 5c and the pad electrode PD3. The switch circuit section SW is a circuit wherein a first state, in which signals can be transmitted between the internal circuit 5b and the pad electrode PD2, and a second state, in which the signals cannot be transmitted between the internal circuit 5b and the pad electrode PD2, can be set. The switch circuit section SW is fixed in the second state during the time when the semiconductor device PKG is operating.
(FR)L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur PKG qui possède : une puce de semi-conducteur CP; une broche LD3; un fil BW5 qui connecte électriquement l'un à l'autre un plot d'électrode PD2 de la puce de semi-conducteur CP et la broche LD3; un fil BW3 qui connecte électriquement l'un à l'autre un plot d'électrode PD3 de la puce de semi-conducteur CP et la broche LD3; un corps d'étanchéité qui étanchéifie la puce de semi-conducteur, la broche, les plots d'électrode et les fils avec une résine. La puce de semi-conducteur CP comprend un circuit interne 5b, un circuit interne 5c et une partie circuit de commutation SW, et des signaux peuvent être transmis entre le circuit interne 5c et le plot d'électrode PD3. La partie circuit de commutation SW est un circuit dans lequel un premier état, dans lequel des signaux peuvent être transmis entre le circuit interne 5b et le plot d'électrode PD2, et un second état, dans lequel les signaux ne peuvent pas être transmis entre le circuit interne 5b et le plot d'électrode PD2, peuvent être établis. La partie circuit de commutation SW est fixée dans le second état pendant la durée de fonctionnement du dispositif à semi-conducteur PKG.
(JA) 半導体装置PKGは、半導体チップCPと、リードLD3と、半導体チップCPのパッド電極PD2とリードLD3とを電気的に接続するワイヤBW5と、半導体チップCPのパッド電極PD3とリードLD3とを電気的に接続するワイヤBW3と、それらを樹脂で封止する封止体と、を有する。半導体チップCPは、内部回路5bと内部回路5cとスイッチ回路部SWとを含み、内部回路5cとパッド電極PD3との間では信号の伝送が可能である。スイッチ回路部SWは、内部回路5bとパッド電極PD2との間で信号の伝送が可能な第1状態と、内部回路5bとパッド電極PD2との間で信号の伝送が不可能な第2状態と、を設定可能な回路である。半導体装置PKGの動作中は、スイッチ回路部SWは、第2状態に固定されている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)